[发明专利]一种阵列基板及其制作方法和显示装置有效
申请号: | 201410442911.X | 申请日: | 2014-09-02 |
公开(公告)号: | CN104332474B | 公开(公告)日: | 2017-10-31 |
发明(设计)人: | 陈启超;余道平;刘富军;张炜;周子卿 | 申请(专利权)人: | 重庆京东方光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77 |
代理公司: | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司11138 | 代理人: | 腾一斌 |
地址: | 400714 重庆市北碚区*** | 国省代码: | 重庆;85 |
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摘要: | 本发明公开了一种阵列基板及其制作方法和显示装置,其中阵列基板包括衬底基板;设置在衬底基板上的栅极;位于栅极上方的第一绝缘层;以及覆盖在栅极上的保护层,保护层将栅极和第一绝缘层隔离;保护层与设置在所述衬底基板上的第一电极由同一次构图工艺形成且互相绝缘。通过在栅极上覆盖保护层,有效解决栅极材料向栅极上方的绝缘层扩散导致薄膜晶体管器件性能退化的问题,防止器件失效,同时还可以防止栅极金属被氧化和腐蚀。并且由于保护层和第一电极通过一次构图工艺完成,没有额外增加光刻和刻蚀的步骤,简化工艺,也不需要对栅极进行合金化技术操作,因此既能降低工艺难度,还能节约加工成本。 | ||
搜索关键词: | 一种 阵列 及其 制作方法 显示装置 | ||
【主权项】:
一种阵列基板,其特征在于,包括:衬底基板;设置在所述衬底基板上的栅极;位于所述栅极上方的第一绝缘层;以及覆盖在所述栅极上的保护层,所述保护层将所述栅极和所述第一绝缘层隔离;所述保护层与设置在所述衬底基板上的第一电极由同一次构图工艺形成且互相绝缘,且所述保护层与所述衬底基板上的第一电极同层同材料。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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