[发明专利]一种检测缺陷残留的测试结构

摘要

本发明公开了一种检测缺陷残留的测试结构，通过第一测试区与第二测试区构成相互垂直的双向梳状的测试结构，并于两测试焊盘施加偏压用于对晶体管器件不同方向上的工艺造成的缺陷进行侦测，若侦测到某一晶体管有较低的击穿电压或较大的漏电，说明该测试区中晶体管存在缺陷残留，同时通过失效分析法找到缺陷残留位置并做相应的改善工艺，另外对于无缺陷残留的晶体管，对其测试时效性击穿特性一定程度上也可以评估绝缘层的寿命。

主权项

一种检测缺陷残留的测试结构，其特征在于，所述测试结构为双向梳状的测试结构，包括：第一测试区和第二测试区，所述第一测试区包括沿第一方向上并排的若干多晶硅条与若干金属条，所述第二测试区包括沿第二方向上并排的若干多晶硅条与若干金属条，所述第一测试区和所述第二测试区各自包括的多晶硅条与金属条均间隔分布，且第一方向与第二方向垂直；以及第一测试焊盘及第二测试焊盘，所述第一测试焊盘通过金属线电连接所述第一测试区中的各所述多晶硅条及第二测试区的各所述金属条，所述第二测试焊盘通过金属线电连接所述第一测试区中的各所述金属条及第二测试区的各所述多晶硅条。