[发明专利]半导体结构及其形成方法

摘要

本发明涉及半导体结构及其形成方法，该半导体结构包括分离栅极非易失性记忆体单元和高电压电晶体。非易失性记忆体单元包括有源区、设于有源区上面的非易失性记忆体堆迭、设于记忆体堆迭上面的控制栅极电极、至少部分设于有源区上面毗连于记忆体堆迭的选择栅极电极、以及选择栅极绝缘层。高电压电晶体包括有源区、栅极电极、以及设于有源区与栅极电极之间的栅极绝缘层。非易失性记忆体装置的选择栅极绝缘层以及高电压电晶体的栅极绝缘层至少部分由相同的高k电介材料构成。非易失性记忆体装置的选择栅极电极以及高电压电晶体的栅极电极至少部分由相同的金属构成。

主权项

一种半导体结构，其包含：分离栅极非易失性记忆体单元，其包含有源区、设于该有源区上面的非易失性记忆体堆迭、设于该非易失性记忆体堆迭上面的控制栅极电极、至少部分设于该有源区上面毗连于该非易失性记忆体堆迭的选择栅极电极及选择栅极绝缘层，该选择栅极绝缘层包含栅极绝缘层排列及安排于该栅极绝缘层排列与该分离栅极非易失性记忆体单元的该有源区之间的第一电介层；以及高电压电晶体，其包含有源区、栅极电极及设于该有源区与该栅极电极之间的栅极绝缘层，其中，该高电压电晶体的该栅极绝缘层包含该栅极绝缘层排列及安排于该栅极绝缘层排列与该高电压电晶体的该有源区之间的第二电介层；其中，该分离栅极非易失性记忆体单元的该选择栅极绝缘层和该高电压电晶体的该栅极绝缘层是至少部分由相同的高k电介材料构成；以及其中，该分离栅极非易失性记忆体单元的该选择栅极电极和该高电压电晶体的该栅极电极是至少部分由相同的金属构成，且该第一电介层的厚度小于该第二电介层的厚度。