[发明专利]IGBT芯片及其制备方法在审
| 申请号： | 201410414533.4 | 申请日： | 2014-08-21 |
| 公开（公告）号： | CN104157683A | 公开（公告）日： | 2014-11-19 |
| 发明（设计）人： | 刘国友;覃荣震;黄建伟 | 申请（专利权）人： | 株洲南车时代电气股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06;H01L21/331 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王宝筠 |
| 地址： | 412001 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种IGBT芯片及其制备方法，所述IGBT芯片包括芯片正面和背面，所述芯片正面包括元胞区、栅极区、等位环区以及终端结构区，所述元胞区包括多个相互并联的元胞，每个元胞包括发射极电极，所述芯片背面包括集电极区，在至少一个所述发射极电极下方对应的集电极区内、所述栅极区下方对应的集电极区内、所述等位环区下方对应的集电极区内和/或所述终端结构区下方对应的集电极区内设置有局部少子注入效率控制区；所述局部少子注入效率控制区能够降低该区域内的少子注入效率。通过本发明提供的IGBT芯片，能够缓解芯片的导通损耗和关断损耗的矛盾关系，实现在不增加导通损耗的情况下，尽量减少IGBT芯片的关断损耗。 | ||
| 搜索关键词： | igbt 芯片 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种IGBT芯片，包括芯片正面和背面，所述芯片正面包括元胞区、栅极区、等位环区以及终端结构区，所述元胞区包括多个相互并联的元胞，每个元胞包括发射极电极，所述芯片背面包括集电极区，其特征在于，在至少一个所述发射极电极下方对应的集电极区内、所述栅极区下方对应的集电极区内、所述等位环区下方对应的集电极区内和/或所述终端结构区下方对应的集电极区内设置有局部少子注入效率控制区；所述局部少子注入效率控制区能够降低该区域内的少子注入效率。
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