[发明专利]一种氮化镓器件电极结构的制作方法及氮化镓器件在审
| 申请号： | 201410409936.X | 申请日： | 2014-08-19 |
| 公开（公告）号： | CN105355546A | 公开（公告）日： | 2016-02-24 |
| 发明（设计）人： | 谢春诚;陈建国;刘蓬 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L29/76 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 黄志华 |
| 地址： | 100871 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及半导体技术领域，本发明实施例提供一种氮化镓器件电极结构的制作方法及氮化镓器件，该方法包括：对氮化铝镓层表面进行湿法刻蚀，形成凹槽，并在所述凹槽底部形成氟化铝；对所述凹槽底部的所述氮化铝镓层表面的所述氟化铝进行反应离子刻蚀；在反应离子刻蚀后的所述凹槽底部的所述氮化铝镓层表面垫积电极金属。通过本发明实施例提供的方法，通过在被刻蚀有凹槽的氮化铝镓表面进行反应离子刻蚀，清除氮化铝镓表面残留的氟化铝，使得电极金属和氮化铝镓表面能够直接接触，避免了由于氟化铝覆盖在氮化铝镓表面导致的电极金属接触电阻较大的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氮化 器件 电极 结构 制作方法 | ||
【主权项】：
一种氮化镓器件电极结构的制作方法，其特征在于，该方法包括：对氮化铝镓层表面进行湿法刻蚀，形成凹槽，并在所述凹槽底部形成氟化铝；对所述凹槽底部的所述氮化铝镓层表面的所述氟化铝进行反应离子刻蚀；在反应离子刻蚀后的所述凹槽底部的所述氮化铝镓层表面垫积电极金属。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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