[发明专利]一种氮化镓器件电极结构的制作方法及氮化镓器件

权利要求书

1.一种氮化镓器件电极结构的制作方法，其特征在于，该方法包括：

对氮化铝镓层表面进行湿法刻蚀，形成凹槽，并在所述凹槽底部形成氟化铝；

对所述凹槽底部的所述氮化铝镓层表面的所述氟化铝进行反应离子刻蚀；

在反应离子刻蚀后的所述凹槽底部的所述氮化铝镓层表面垫积电极金属。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对所述凹槽底部的所述氮化铝镓层表面的所述氟化铝进行反应离子刻蚀，包括：

对被所述湿法刻蚀的所述氮化铝镓层表面形成的所述氟化铝采用惰性气体进行反应离子刻蚀。

3.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述在所述凹槽底部的所述氮化铝镓层表面垫积电极金属之后，还包括：

对垫积之后的电极金属进行退火，形成欧姆接触。

4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述对垫积之后的电极金属进行退火，形成欧姆接触之后，还包括：

在所述金属层上沉积绝缘保护层。

5.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述湿法刻蚀所采用的刻蚀材料为氟化硫。

6.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述凹槽深度至少为所述氮化铝镓层1厚度的1/10。

7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对氮化铝镓层表面进行湿法刻蚀，形成凹槽之前，还包括：

在衬底上生长所述氮化镓层；

在所述氮化镓层上使用光刻胶形成所述凹槽的掩膜图形。

8.一种氮化镓器件，其特征在于，包括：

刻蚀有凹槽的氮化铝镓层；

覆盖于所述凹槽内的金属层。

9.如权利要求8所述的氮化镓器件，其特征在于，所述氮化铝镓层上覆盖一层氮化镓层。

10.如权利要求9所述的氮化镓器件，其特征在于，所述氮化镓层之上，还包括：

位于所述金属层上的绝缘保护层。