[发明专利]一种氮化镓器件电极结构的制作方法及氮化镓器件

说明书

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种氮化镓器件电极结构的制作方法及氮化镓器件。

背景技术

目前，国际半导体产业界已经进入以氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)为代表的第三代宽禁带半导体时代。在新型氮化镓半导体材料上制作相关器件时，进行氮化铝镓的刻蚀时刻蚀过程在密闭腔体中发生，依靠化学刻蚀气体与被刻蚀材料发生化学反应，产生的气态残留物能够通过密闭腔体自带的吸取管道将气态残留物抽走，而产生的固态残留物，就会沉积到氮化铝镓材料表面，无法被抽走，形成难以清除的杂质，导致在制作器件相关电极金属时，接触电阻常常偏大。由于刻蚀孔的尺寸较小，杂质沉积到刻蚀孔底部后，普通清洗手段也是无法将固态杂质清洗干净的。

综上所述，现有技术方案在刻蚀氮化铝镓时产生的杂质难以清除，导致电极金属的接触电阻偏大。

发明内容

本发明实施例提供一种氮化镓器件电极结构的制作方法及氮化镓器件，用以解决现有技术方案中刻蚀氮化铝镓时产生的杂质难以清除，导致电极金属的接触电阻偏大的问题。

本发明实施例提供一种氮化镓器件电极结构的制作方法，包括：

对氮化铝镓层表面进行湿法刻蚀，形成凹槽，并在所述凹槽底部形成氟化铝；

对所述凹槽底部的所述氮化铝镓层表面的所述氟化铝进行反应离子刻蚀；

在反应离子刻蚀后的所述凹槽底部的所述氮化铝镓层表面垫积电极金属。

较佳的，所述对所述凹槽底部的所述氮化铝镓层表面进行反应离子刻蚀，包括：

对被刻蚀的氮化铝镓层表面的氟化铝采用惰性气体进行反应离子刻蚀。

较佳的，所述在所述凹槽底部的所述氮化铝镓层表面垫积电极金属之后，还包括：

对垫积之后的电极金属进行退火，形成欧姆接触。

较佳的，所述对垫积之后的电极金属进行退火，形成欧姆接触之后，还包括：

在所述金属层上沉积绝缘保护层。

较佳的，所述湿法刻蚀所采用的刻蚀材料为氟化硫。

较佳的，所述凹槽深度至少为所述氮化铝镓层1厚度的1/10。

较佳的，所述对氮化铝镓层表面进行湿法刻蚀，形成凹槽之前，还包括：

在衬底上生长所述氮化镓层；

在所述氮化镓层上使用光刻胶形成所述凹槽的掩膜图形。

本发明实施例提供一种氮化镓器件，包括：

刻蚀有凹槽的氮化铝镓层；

覆盖于所述凹槽内的金属层。

较佳的，所述氮化铝镓层上覆盖一层氮化镓层。

较佳的，所述氮化镓层之上，还包括：

位于所述金属层上的绝缘保护层。

通过本发明实施例提供的方法，通过在被刻蚀有凹槽的氮化铝镓表面进行反应离子刻蚀，清除氮化铝镓表面残留的氟化铝，使得电极金属和氮化铝镓表面能够直接接触，避免了由于氟化铝覆盖在氮化铝镓表面导致的电极金属接触电阻较大的问题。

附图说明

图1为本发明实施例提供的一种氮化镓器件电极结构的制作方法流程图；

图2为本发明实施例提供的一种氮化镓器件电极结构的制作方法流程图；

图3至图6为采用本发明实施例所提供的方法进行氮化镓器件电极结构制作时各个步骤的结构示意图；

图7为本发明实施例提供的一种氮化镓器件的装置结构图。

具体实施方式

本发明实施例提供一种氮化镓器件电极结构的制作方法及氮化镓器件，通过在被刻蚀有凹槽的氮化铝镓表面进行反应离子刻蚀，使得电极金属和氮化铝镓表面能够直接接触。

下面结合说明书附图对本发明实施例做详细描述。

如图1所示，本发明实施例提供的一种氮化镓器件电极结构的制作方法流程图，该方法包括：

步骤101：对氮化铝镓层表面进行湿法刻蚀，形成凹槽，并在所述凹槽底部形成氟化铝；

步骤102：对所述凹槽底部的所述氮化铝镓层表面的所述氟化铝进行反应离子刻蚀；

步骤103：在反应离子刻蚀后的所述凹槽底部的所述氮化铝镓层表面垫积电极金属。