[发明专利]半导体装置及其制造方法无效
| 申请号： | 201410397429.9 | 申请日： | 2014-08-13 |
| 公开（公告）号： | CN104916692A | 公开（公告）日： | 2015-09-16 |
| 发明（设计）人： | 增子真吾;安本恭章;梁濑直子;汤元美树;三村正人;齐藤泰伸;吉冈启;藤本英俊;内原士;大野哲也;仲敏行;小野祐 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L23/48;H01L23/488;H01L23/367;H01L21/60 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 杨谦;胡建新 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种能够实现电极的连接部分的电传导性或热传导性的提高的半导体装置及其制造方法。根据一实施方式，半导体装置具备半导体芯片，该半导体芯片具有氮化物半导体层、以及设置于上述氮化物半导体层的控制电极、第一主电极和第二主电极。进而，上述装置具备支撑体，该支撑体具有基板、以及设置于上述基板的控制端子、第一主端子和第二主端子。进而，上述半导体芯片的上述控制电极、上述第一主电极以及上述第二主电极与上述支撑体相对置地设置于上述支撑体。进而，上述半导体芯片的上述控制电极、上述第一主电极以及上述第二主电极分别与上述支撑体的上述控制端子、上述第一主端子以及上述第二主端子电连接。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，具备：半导体芯片，该半导体芯片具备氮化物半导体层、以及设置于上述氮化物半导体层的控制电极、第一主电极和第二主电极；以及支撑体，该支撑体具备基板、以及设置于上述基板的控制端子、第一主端子和第二主端子，上述半导体芯片的上述控制电极、上述第一主电极以及上述第二主电极与上述支撑体相对置地设置于上述支撑体，上述半导体芯片的上述控制电极、上述第一主电极以及上述第二主电极分别与上述支撑体的上述控制端子、上述第一主端子以及上述第二主端子电连接。
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