[发明专利]半导体装置的制备方法及衬底处理装置

摘要

本发明涉及半导体装置的制备方法及衬底处理装置。在形成含有规定元素、碳和氮的膜时，提高膜中的组成的控制性。本发明的半导体装置的制备方法具有通过进行规定次数的循环从而在衬底上形成含有规定元素、碳和氮的膜的工序，所述循环含有以下工序向衬底供给含有规定元素和卤元素的第1处理气体的工序，向衬底供给由碳、氮和氢3种元素构成的第2处理气体的工序，和向衬底供给含有碳的第3处理气体的工序。

主权项

一种半导体装置的制备方法，具有通过进行规定次数的循环从而在衬底上形成含有规定元素、碳和氮的膜的工序，所述循环含有以下工序：向处理室内的所述衬底供给含有所述规定元素和卤元素的第1处理气体的工序，向所述处理室内的所述衬底供给含有胺系气体或有机肼系气体的第2处理气体的工序，和向所述处理室内的所述衬底供给含有碳的第3处理气体的工序，所述循环含有至少在所述第2处理气体的供给期间进行供给所述第3处理气体的工序，在所述第2处理气体的供给期间进行供给所述第3处理气体的工序中，使所述处理室内的所述第3处理气体的分压比所述处理室内的所述第2处理气体的分压大。