[发明专利]PMU泵浦结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201410395376.7 | 申请日： | 2014-08-12 |
| 公开（公告）号： | CN105336715B | 公开（公告）日： | 2018-03-30 |
| 发明（设计）人： | 林杰;张冠杰 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/473 | 分类号： | H01L23/473;H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人： | 屈蘅,李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明揭示了一种PMU泵浦结构及其形成方法。该结构包括呈镜像对称的第一部分和第二部分，所述第一部分包括半导体基底；形成于所述半导体基底上的外延层；形成于所述外延层中的第一障碍层；形成于所述外延层上的功能层，所述功能层包括距离第二部分自远及近排列的第一P+区、第一N+区、第二P+区及第二N+区；以及位于所述功能层上的金属互连层，所述金属互连层使得第一N+区及第二P+区等电势；所述第一障碍层与功能层之间形成有外延层。通过使得第一N+区及第二P+区等电势，避免了第一N+区和第二P+区之间产生压降，防止了外延层、第一障碍层及半导体基底之间漏电流的产生。 | ||
| 搜索关键词： | pmu 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种PMU泵浦结构，该结构包括呈镜像对称的第一部分和第二部分，所述第一部分包括：半导体基底；形成于所述半导体基底上的外延层；形成于所述外延层中的第一障碍层；形成于所述外延层上的功能层，所述功能层包括距离第二部分自远及近排列的第一P+区、第一N+区、第二P+区及第二N+区；以及位于所述功能层上的金属互连层，所述金属互连层使得第一N+区及第二P+区等电势。
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