[发明专利]分栅式存储器件及其制造方法

摘要

本发明涉及一种比传统基线工艺要求更少的处理步骤的分栅式存储器件及其制造方法。在牺牲间隔件的周围形成字栅极/选择栅极(SG)对。形成的SG结构具有可识别的非平面的顶面。覆盖选择栅极的间隔层也与SG顶面的形状一致。设置在栅极间介电层之上以及布置在每个存储栅极和选择栅极的相邻侧壁之间的介电层提供了存储栅极和选择栅极之间的隔离。

主权项

一种分栅式存储器件，设置在半导体主体的上方，所述分栅式存储器件包括：第一栅极结构，包括彼此间隔设置的第一存储栅极和第一选择栅极，所述第一存储栅极和所述第一选择栅极具有非平面的顶面，相对于所述半导体主体的上表面，所述顶面沿着第一方向在高度上连续地和/或单调地降低；栅极间介电层，布置在所述第一存储栅极和所述第一选择栅极的相邻侧壁之间，所述栅极间介电层在所述第一存储栅极的下方延伸；以及第一介电层，设置在所述栅极间介电层之上以及布置在所述第一存储栅极和所述第一选择栅极的相邻侧壁之间，以提供所述第一存储栅极和所述第一选择栅极之间的隔离。