[发明专利]氮化镓发光二极管及其制作方法在审
申请号: | 201410391600.5 | 申请日: | 2014-08-11 |
公开(公告)号: | CN104103723A | 公开(公告)日: | 2014-10-15 |
发明(设计)人: | 蓝永凌;张家宏;卓昌正;林兓兓;谢翔麟;谢祥彬;徐志波 | 申请(专利权)人: | 安徽三安光电有限公司 |
主分类号: | H01L33/12 | 分类号: | H01L33/12;H01L33/10;H01L33/00 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 241000 安徽*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 本发明提供一种氮化物发光二极管,包括衬底、缓冲层、N型层、活性层以及P型层,其特征在于:提供低三甲基铝的缓冲层,能有效地提高发光二极管的发光效率。 | ||
搜索关键词: | 氮化 发光二极管 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
氮化物发光二极管,包括缓冲层、N型层、活性层以及P型层,其特征在于:所述缓冲层为金属铝,其呈不规则颗粒状,当活性层发出的光线入射至所述缓冲层时发生反射与折射效应。
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