[发明专利]一种超结半导体场效应管的制作方法及半导体装置有效
| 申请号： | 201410383910.2 | 申请日： | 2014-08-06 |
| 公开（公告）号： | CN105448722B | 公开（公告）日： | 2019-02-01 |
| 发明（设计）人： | 马万里 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 黄志华 |
| 地址： | 100871 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种超结半导体场效应管的制作方法及半导体装置，用以优化制作流程，简化制作工艺，降低制作成本。所述超结半导体场效应管的制作方法，包括在半导体衬底上依次制作第一导电类型外延层、第一保护层；刻蚀没有第一保护层保护的第一导电类型外延层，形成第一沟槽；在形成有第一沟槽的半导体衬底上制作第二保护层；刻蚀第二保护层，在第一沟槽的侧壁形成第二保护层侧墙；刻蚀没有第一保护层和第二保护层侧墙保护的第一导电类型外延层，形成第二沟槽；在第二沟槽内制作第二导电类型外延层；去除第二保护层侧墙，在第一沟槽内制作第二导电类型外延层；第一沟槽的深度小于第二沟槽的深度；第一保护层的材料和第二保护层的材料不同。 | ||
| 搜索关键词： | 第二保护层 制作 第一保护层 半导体场效应管 第一导电类型 外延层 超结 刻蚀 导电类型外延层 半导体装置 侧墙 衬底 半导体 简化制作工艺 侧墙保护 侧壁 去除 优化 | ||
【主权项】：
1.一种超结半导体场效应管的制作方法，其特征在于，所述方法包括：在半导体衬底上制作第一导电类型外延层，在第一导电类型外延层上通过构图工艺形成第一保护层；刻蚀没有第一保护层保护的第一导电类型外延层，形成第一沟槽；在形成有第一沟槽的半导体衬底上制作第二保护层；刻蚀第二保护层，在第一沟槽的侧壁形成第二保护层侧墙；刻蚀没有第一保护层和第二保护层侧墙保护的第一导电类型外延层，形成第二沟槽；在第二沟槽内制作第二导电类型外延层；去除第二保护层侧墙，在第一沟槽内制作第二导电类型外延层；其中，所述第一沟槽的深度小于所述第二沟槽的深度；所述第一保护层的材料和所述第二保护层的材料不同。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
