[发明专利]一种超结半导体场效应管的制作方法及半导体装置

权利要求书

1.一种超结半导体场效应管的制作方法，其特征在于，所述方法包括：

在半导体衬底上制作第一导电类型外延层，在第一导电类型外延层上通过构图工艺形成第一保护层；

刻蚀没有第一保护层保护的第一导电类型外延层，形成第一沟槽；

在形成有第一沟槽的半导体衬底上制作第二保护层；

刻蚀第二保护层，在第一沟槽的侧壁形成第二保护层侧墙；

刻蚀没有第一保护层和第二保护层侧墙保护的第一导电类型外延层，形成第二沟槽；

在第二沟槽内制作第二导电类型外延层；

去除第二保护层侧墙，在第一沟槽内制作第二导电类型外延层；

其中，所述第一沟槽的深度小于所述第二沟槽的深度；所述第一保护层的材料和所述第二保护层的材料不同。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述半导体衬底为N型半导体衬底，所述第一导电类型外延层为N型导电外延层，所述第二导电类型外延层为P型导电外延层。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一沟槽的深度为1微米到5微米。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二沟槽的深度为40微米到50微米。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一保护层的材料为二氧化硅。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二保护层的材料为氮化硅。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述去除第二保护层侧墙，包括：采用热磷酸，腐蚀去除第二保护层侧墙。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在第一导电类型外延层上通过构图工艺形成第一保护层，包括：

在第一导电类型外延层上沉积第一保护层；

在所述第一保护层上涂覆光刻胶，并对光刻胶进行曝光、显影；

刻蚀去除没有光刻胶保护的第一保护层，并去除剩余光刻胶，形成第一保护层。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在第一沟槽内制作第二导电类型外延层后，所述方法还包括：

去除第一保护层，在所述第一导电类型外延层和第二导电类型外延层上依次制作栅氧化层和栅极层，其中，所述栅氧化层覆盖第一导电类型外延层和第二导电类型外延层，所述栅极层覆盖第一导电类型外延层和部分第二导电类型外延层；

在没有被栅极层覆盖的部分区域中形成光刻胶，注入第一导电类型离子，在没有被栅极层和光刻胶覆盖的第一沟槽内的第二导电类型外延层中形成第一导电类型源极区；

去除光刻胶，在栅极层上制作介质层，在介质层上制作金属层。

10.一种半导体装置，其特征在于，所述装置包括采用权利要求1-9任一权项制作得到的超结半导体场效应管。