[发明专利]发光二极管的外延片及其制作方法在审
| 申请号： | 201410381826.7 | 申请日： | 2014-08-06 |
| 公开（公告）号： | CN104157760A | 公开（公告）日： | 2014-11-19 |
| 发明（设计）人： | 马海庆;张宇;徐迪 | 申请（专利权）人： | 湘能华磊光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京爱普纳杰专利代理事务所(特殊普通合伙) 11419 | 代理人： | 何自刚 |
| 地址： | 423038 湖南省郴*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本申请公开了发光二极管的外延片及其制作方法，该发光二极管的外延片包括：掺杂Si的GaN层；组分恒定发光层，位于所述掺杂Si的GaN层之上；组分渐变发光层，位于所述组分恒定发光层之上；以及P型AlGaN层，位于所述组分渐变发光层之上；其中，所述组分渐变发光层包括GaN层和掺杂In的InGaN层，每个周期的所述InGaN层的In掺杂浓度不同。本申请相比现有技术，可调整发光层的电子填充状态的分布，调节发光层的能带，从而提高空穴和电子的复合效率。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 外延 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种发光二极管的外延片，其特征在于，包括：掺杂Si的GaN层；组分恒定发光层，位于所述掺杂Si的GaN层之上；组分渐变发光层，位于所述组分恒定发光层之上；以及P型AlGaN层，位于所述组分渐变发光层之上；其中，所述组分渐变发光层包括GaN层和掺杂In的InGaN层，每个周期的所述InGaN层的In掺杂浓度不同。
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