[发明专利]半导体结构的形成方法有效
| 申请号： | 201410376692.X | 申请日： | 2014-08-01 |
| 公开（公告）号： | CN105336677B | 公开（公告）日： | 2018-10-16 |
| 发明（设计）人： | 邓浩 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/3105 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 应战;骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底；在所述基底表面形成初始介质层，所述初始介质层内具有致孔剂；对所述初始介质层进行第一紫外照射处理，所述第一紫外照射处理具有第一处理温度；在所述第一紫外照射处理后，对所述初始介质层进行第二紫外照射处理，形成低k介质层，所述第二紫外照射处理具有第二处理温度，且所述第二处理温度大于第一处理温度。本发明在快速去除致孔剂(即，处理温度较高的第二紫外照射处理过程)之前，对初始介质层进行第一紫外照射处理，使初始介质层进行一定交联反应，使初始介质层的机械强度得到提升，有效避免在第二紫外照射处理过程中发生初始介质层坍塌问题，提高形成的低k介质层的机械性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底；在所述基底表面形成初始介质层，所述初始介质层内具有致孔剂；对所述初始介质层进行第一紫外照射处理，所述第一紫外照射处理具有第一处理温度，所述第一处理温度为50度至100度；在所述第一紫外照射处理后，对所述初始介质层进行第二紫外照射处理，形成低k介质层，所述第二紫外照射处理具有第二处理温度，且所述第二处理温度大于第一处理温度。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司，未经中芯国际集成电路制造(上海)有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410376692.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
