[发明专利]半导体结构的形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底；

在所述基底表面形成初始介质层，所述初始介质层内具有致孔剂；

对所述初始介质层进行第一紫外照射处理，所述第一紫外照射处理具有第一处理温度，所述第一处理温度为50度至100度；

在所述第一紫外照射处理后，对所述初始介质层进行第二紫外照射处理，形成低k介质层，所述第二紫外照射处理具有第二处理温度，且所述第二处理温度大于第一处理温度。

2.如权利要求1所述半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一紫外照射处理使初始介质层内发生第一交联反应以及第一致孔剂去除反应，所述第二紫外照射处理使初始介质层内发生第二交联反应以及第二致孔剂去除反应，且所述第二致孔剂去除反应的反应速率大于第一致孔剂去除反应的反应速率。

3.如权利要求2所述半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二处理温度为350度至400度。

4.如权利要求2所述半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一紫外照射处理具有第一紫外波长，所述第二紫外照射处理具有第二紫外波长，其中，所述第一紫外波长为250纳米至450纳米，所述第二紫外波长为350纳米至450纳米。

5.如权利要求2所述半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述第二紫外照射处理后，还包括步骤：对所述低k介质层进行第三紫外照射处理，使低k介质层内发生第三交联反应以及第三致孔剂去除反应，且第三交联反应的反应速率大于第二交联反应的反应速率。

6.如权利要求5所述半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第三紫外照射具有第三处理温度以及第三紫外波长，第二紫外照射处理具有第二紫外波长，且所述第三紫外波长小于第二紫外波长。

7.如权利要求6所述半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第三紫外波长为250纳米至350纳米，所述第二紫外波长为350纳米至450纳米。

8.如权利要求6所述半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第三处理温度为350度至400度。

9.如权利要求1或5所述半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一紫外照射处理的时长为5秒至30秒。

10.如权利要求1或5所述半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二紫外照射处理的时长为50秒至150秒。

11.如权利要求5所述半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第三紫外照射处理的时长为50秒至400秒。

12.如权利要求2所述半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述第一交联反应以及第二交联反应过程中，初始介质层内形成网状结构的Si-O-Si键。

13.如权利要求2所述半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述第一致孔剂去除反应以及第二致孔剂去除反应过程中，初始介质层内形成孔洞。

14.如权利要求1所述半导体结构的形成方法，其特征在于，所述低k介质层材料的相对介电常数小于氧化硅的相对介电常数。

15.如权利要求14所述半导体结构的形成方法，其特征在于，所述低k介质层的材料为有机硅酸盐玻璃、甲基倍半硅氧烷或氢化倍半硅氧烷。

16.如权利要求1所述半导体结构的形成方法，其特征在于，采用化学气相沉积、物理气相沉积或旋转涂覆工艺形成所述初始介质层。

17.如权利要求16所述半导体结构的形成方法，其特征在于，采用化学气相沉积工艺形成所述初始介质层的工艺参数为：反应原材料包括硅烷和氧源气体，其中，硅烷为甲基二乙氧基硅烷或八甲基环四硅氧烷中的一种或两种，氧源气体为O₂，硅烷流量为0.2g/m至2g/m，氧源气体流量为50sccm至1000sccm，沉积腔室温度为250度至500度，沉积腔室压强为1托至20托，沉积功率为100瓦至1000瓦，向沉积腔室内通入致孔剂，所述致孔剂流量为100sccm至3000sccm。