[发明专利]互连结构的形成方法

摘要

本发明提供了一种互连结构的形成方法。在介质层上形成碳氧化硅层，在碳氧化硅层上形成金属掩模材料层和碳氧化硅层形成的硬掩模，之后刻蚀介质层以形成通孔，在形成碳氧化硅层的步骤中通入包括含有碳元素的第一气体和含有氧元素的第二气体的反应气体，并使第二气体的流量逐渐增加，使得第二气体占反应气体的比例逐渐增加，形成的碳氧化硅层含碳量逐渐减小，在对通孔进行的湿法清洗的过程中，在碳氧化硅层与介质层交界处的碳氧化硅层消耗速度较慢，碳氧化硅层与介质层交界处的碳氧化硅层不容易在清洗步骤中形成凹陷，碳氧化硅层随着厚度的增加消耗速率逐渐加快，不容易形成凸起，从而提高了通孔以及硬掩模内开口的内壁平整度。

主权项

1.一种互连结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底；在所述基底上形成介质层；在所述介质层上形成碳氧化硅层，在形成碳氧化硅层的步骤中，通入含有硅元素和碳元素的第一气体和含有氧元素的第二气体，并且在通入第二气体时使所述第二气体的流量逐渐增加；在所述碳氧化硅层上形成金属掩模材料层；刻蚀所述金属掩模材料层和碳氧化硅层以形成硬掩模；以所述硬掩模为掩模刻蚀所述介质层，在所述介质层内形成通孔；在所述通孔内填充导电材料层，以形成导电插塞；所述第一气体包括硅烷和二氧化碳。