[发明专利]互连结构的形成方法

权利要求书

1.一种互连结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底；

在所述基底上形成介质层；

在所述介质层上形成碳氧化硅层，在形成碳氧化硅层的步骤中，通入含有硅元素和碳元素的第一气体和含有氧元素的第二气体，并且在通入第二气体时使所述第二气体的流量逐渐增加；

在所述碳氧化硅层上形成金属掩模材料层；

刻蚀所述金属掩模材料层和碳氧化硅层以形成硬掩模；

以所述硬掩模为掩模刻蚀所述介质层，在所述介质层内形成通孔；

在所述通孔内填充导电材料层，以形成导电插塞；

所述第一气体包括硅烷和二氧化碳。

2.如权利要求1所述的互连结构的形成方法，其特征在于，形成碳氧化硅层的方法为化学气相沉积法。

3.如权利要求1所述的互连结构的形成方法，其特征在于，所述第二气体包括氧气、一氧化二氮、水蒸气、一氧化碳中的一种或多种。

4.如权利要求1所述的互连结构的形成方法，其特征在于，在形成所述碳氧化硅层的步骤中，所述硅烷的流量在50～3000sccm的范围内，二氧化碳的流量在50～3000sccm的范围内。

5.如权利要求1所述的互连结构的形成方法，其特征在于，在形成所述碳氧化硅层的步骤中，所述第二气体为氧气、一氧化二氮、水蒸气或一氧化碳，逐渐增加第二气体的流量使第二气体和二氧化碳的流量比从1:1增加到3:1。

6.如权利要求5所述的互连结构的形成方法，其特征在于，所述第二气体为氧气，所述二氧化碳的流量在10～700sccm的范围内，所述氧气的流量在10～2000sccm的范围内。

7.如权利要求1所述的互连结构的形成方法，其特征在于，在形成所述碳氧化硅层的步骤中，逐渐增加第二气体的流量使第二气体和二氧化碳的流量比呈线性增加。

8.如权利要求1所述的互连结构的形成方法，其特征在于，形成碳氧化硅层的步骤中，气压在0.5～10torr的范围内，功率在50～5000W的范围内。

9.如权利要求1所述的互连结构的形成方法，其特征在于，在形成所述碳氧化硅层的步骤中，所述第二气体的流量从10sccm逐渐增加至2000sccm。

10.如权利要求1所述的互连结构的形成方法，其特征在于，所述碳氧化硅层的厚度在的范围内。

11.如权利要求1所述的互连结构的形成方法，其特征在于，在所述介质层内形成通孔后，在所述通孔内填充导电材料之前，所述形成方法还包括湿法清洗步骤。

12.如权利要求11所述的互连结构的形成方法，其特征在于，所述湿法清洗以稀释的氢氟酸作为清洗剂。