[发明专利]一种分裂电容中间布局的低寄生电感GaN功率集成模块有效
| 申请号： | 201410359745.7 | 申请日： | 2014-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN104157634B | 公开（公告）日： | 2017-04-26 |
| 发明（设计）人： | 王康平;杨旭;曾翔君;马焕;余小玲;郭义宣 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | H01L23/64 | 分类号： | H01L23/64;H01L23/488;H01L25/00 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司61200 | 代理人： | 陆万寿 |
| 地址： | 710049*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明提供一种分裂电容中间布局的低寄生电感GaN功率集成模块，包括上桥臂器件、下桥臂器件和母线电容，上桥臂器件、下桥臂器件是LGA封装的GaN器件，母线电容是贴片封装。两个GaN器件并排放置，多个母线电容放置在两个GaN器件中间。上桥臂器件的每一个源极引脚和下桥臂器件的一个漏极直接相连，上桥臂器件的每一个漏极和下桥臂器件的一个源极分别连接到一个母线电容的两个电极。本发明采用的布局方式，可以有效地减小高频功率回路的面积，同时充分利用了LGA封装漏极和源极引脚交错排列的结构，构成多个交错并联的高频功率电流回路，从而明显地降低了高频功率回路寄生电感，减小了开关过程中的过电压和振荡。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 分裂 电容 中间 布局 寄生 电感 gan 功率 集成 模块 | ||
【主权项】：
一种分裂电容中间布局的低寄生电感GaN功率集成模块，其特征在于；包括上桥臂器件(1)、下桥臂器件(2)和多个母线电容(3)，上桥臂器件(1)、下桥臂器件(2)和多个母线电容(3)位于基板(7)的一侧表面上，上桥臂器件(1)和下桥臂器件(2)平行并排放置，多个母线电容(3)安放在上桥臂器件(1)与下桥臂器件(2)中间；每个母线电容(3)的一个电极与上桥臂器件(1)的一个漏极对应相连，上桥臂器件(1)的所有漏极相互连接，每个母线电容(3)的另一个电极与下桥臂器件(2)的一个源极对应相连，下桥臂器件(2)的所有源极相互连接；上桥臂器件(1)的所有源极与下桥臂器件(2)的所有漏极一一对应相连；上桥臂器件(1)和下桥臂器件(2)均为LGA封装的GaN器件，基板(7)内设置有一层屏蔽层(6)。
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