[发明专利]半导体器件有效

专利信息
申请号: 201410345745.1 申请日: 2014-07-18
公开(公告)号: CN105336724B 公开(公告)日: 2018-10-23
发明(设计)人: 杨芸;李绍彬;王成诚 申请(专利权)人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
主分类号: H01L23/52 分类号: H01L23/52
代理公司: 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 代理人: 吴贵明;张永明
地址: 201203 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 本申请公开了一种半导体器件。该半导体器件包括:源线;字线,与源线平行设置;字线接触孔结构,与字线垂直相交设置,且字线接触孔结构与字线相交形成的接触面靠近字线上远离源线的一侧边缘设置。该半导体器件中,通过将字线接触孔结构与字线相交形成的接触面靠近字线上远离源线的一侧边缘设置,从而增加了字线接触孔与源线之间的距离,并减小了字线接触孔结构和源线之间的寄生电容,进而提高了半导体器件的击穿电压。
搜索关键词: 半导体器件
【主权项】:
1.一种半导体器件,其特征在于,所述半导体器件包括:源线;字线,与所述源线平行设置;字线接触孔结构,与所述字线垂直相交设置,且所述字线接触孔结构与所述字线相交形成的接触面靠近所述字线上远离所述源线的一侧边缘设置;其中,所述半导体器件包括至少一个结构单元,每个所述结构单元包括:一个所述源线;两个所述字线,对称地设置于所述源线的两侧;两组字线接触孔结构单元,对称地设置于所述源线的两侧,且分别与所对应的所述字线相连。
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