[发明专利]半导体器件有效
| 申请号： | 201410345745.1 | 申请日： | 2014-07-18 |
| 公开（公告）号： | CN105336724B | 公开（公告）日： | 2018-10-23 |
| 发明（设计）人： | 杨芸;李绍彬;王成诚 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/52 | 分类号： | H01L23/52 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 吴贵明;张永明 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
1.一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括：
源线；
字线，与所述源线平行设置；
字线接触孔结构，与所述字线垂直相交设置，且所述字线接触孔结构与所述字线相交形成的接触面靠近所述字线上远离所述源线的一侧边缘设置；
其中，所述半导体器件包括至少一个结构单元，每个所述结构单元包括：
一个所述源线；
两个所述字线，对称地设置于所述源线的两侧；
两组字线接触孔结构单元，对称地设置于所述源线的两侧，且分别与所对应的所述字线相连。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述接触面包括靠近所述源线的第一侧边和远离所述源线的第二侧边，所述字线包括靠近所述源线的第一边缘和远离所述源线的第二边缘，所述第二侧边和所述第二边缘之间的距离与所述第一侧边和所述第一边缘之间的距离的比值为0～3/4。
3.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述第一侧边和所述第二侧边之间的距离为所述第一边缘和第二边缘之间的距离的1/4～1/2。
4.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，所述接触面为长方形。
5.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述结构单元中，每组所述字线接触孔结构单元包括一个或多个所述字线接触孔结构；当每组所述字线接触孔结构单元包括多个所述字线接触孔结构时，相邻的所述字线接触孔结构之间的距离相同。
6.根据权利要求5所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件还包括：
位线，同时垂直于所述字线和所述字线接触孔结构设置；
位线接触孔结构，与所述字线接触孔结构平行，且所述位线接触孔结构的一端与相邻所述结构单元之间的所述位线相连。
7.根据权利要求6所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件还包括晶体管，所述晶体管的栅极与所述字线接触孔结构相连，所述晶体管的源极与所述源线相连，所述晶体管的漏极与所述位线接触孔结构相连。
8.根据权利要求7所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件为存储器件。
9.根据权利要求8所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件还包括设置有存储单元区的衬底，所述晶体管设置于所述衬底的所述存储单元区中。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（上海）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410345745.1/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
