[发明专利]半导体器件

说明书

本申请公开了一种半导体器件。该半导体器件包括：源线；字线，与源线平行设置；字线接触孔结构，与字线垂直相交设置，且字线接触孔结构与字线相交形成的接触面靠近字线上远离源线的一侧边缘设置。该半导体器件中，通过将字线接触孔结构与字线相交形成的接触面靠近字线上远离源线的一侧边缘设置，从而增加了字线接触孔与源线之间的距离，并减小了字线接触孔结构和源线之间的寄生电容，进而提高了半导体器件的击穿电压。

技术领域

本申请涉及半导体集成电路技术领域，具体而言，涉及一种半导体器件。

背景技术

在半导体器件中，源线(SL)与字线接触孔(WLCT)之间的距离很小，使得源线与字线接触孔之间产生较大的寄生电容，导致字线与源线之间容易被击穿而产生短路，进而降低半导体器件的性能。例如在存储器件中，由于源线与字线接触孔之间距离的很小，使得存储器件很容易被击穿，进而使得存储器件的存储性能发生失效。

图1示出了一种现有半导体器件的剖面结构示意图。如图1所示，该半导体器件包括源线10′、字线20′、位线40′、字线接触孔结构30′以及位线接触孔结构50′。其中字线20′与源线10′平行设置，字线接触孔结构30′与字线20′垂直设置，且字线接触孔结构30′与字线20′相交形成的接触面位于字线20′的正中心。同时，位线40′垂直于字线20′和字线接触孔结构30′设置，位线接触孔结构50′与字线接触孔结构30′平行设置。

上述半导体器件还包括晶体管，其中晶体管的栅极与字线接触孔结构30′相连，晶体管的源极与源线10′相连，形成如图2所示的剖面结构。如图2所示，字线接触孔结构30′和源线10′之间由介质层隔离开来。随着半导体集成电路的集成度日益增加，半导体器件中源线与字线接触孔之间的距离也随着缩小，介质层的厚度也逐渐减小，使得字线接触孔结构和源线之间的寄生电容逐渐增大，从而使得半导体器件的耐击穿性能下降。因此，如何在不影响半导体器件的性能的情况下提高源线与字线接触孔之间的击穿电压，成为半导体器件的设计和制作领域中急需解决的难点之一。

发明内容

本申请旨在提供一种半导体器件，以提高半导体器件中源线与字线接触孔之间的击穿电压。

为了解决上述问题，本申请提供了一种半导体器件。该半导体器件包括：源线；字线，与源线平行设置；字线接触孔结构，与字线垂直相交设置，且字线接触孔结构与字线相交形成的接触面靠近字线上远离源线的一侧边缘设置。

进一步地，上述半导体器件中，接触面包括靠近源线的第一侧边和远离源线的第二侧边，字线包括靠近源线的第一边缘和远离源线的第二边缘，第二侧边和第二边缘之间的距离与第一侧边和第一边缘之间的距离的比值为0～3/4。

进一步地，上述半导体器件中，第一侧边和第二侧边之间的距离为第一边缘和第二边缘之间的距离的1/4～1/2。

进一步地，上述半导体器件中，接触面为长方形。

进一步地，上述半导体器件中，半导体器件包括至少一个结构单元，每个结构单元包括：一个源线；两个字线，对称地设置于源线的两侧；两组字线接触孔结构单元，对称地设置于源线的两侧，且分别与所对应的字线相连。

进一步地，上述半导体器件中，结构单元中，每组字线接触孔结构单元包括一个或多个字线接触孔结构；当每组字线接触孔结构单元包括多个字线接触孔结构时，相邻的字线接触孔结构之间的距离相同。

进一步地，上述半导体器件中，半导体器件还包括：位线，同时垂直于字线和字线接触孔结构设置；位线接触孔结构，与字线接触孔结构平行，且位线接触孔结构的一端与相邻结构单元之间的位线相连。

进一步地，上述半导体器件中，半导体器件还包括晶体管，晶体管的栅极与字线接触孔结构相连，晶体管的源极与源线相连，晶体管的漏极与位线接触孔结构相连。

进一步地，上述半导体器件中，半导体器件为存储器件。