[发明专利]用于多层金属布局的金属焊盘偏移有效
| 申请号： | 201410341703.0 | 申请日： | 2014-07-17 |
| 公开（公告）号： | CN104377183B | 公开（公告）日： | 2017-06-13 |
| 发明（设计）人： | 陈奕志;陈英豪;郑志成;简荣亮;蔡富村;林昆辉 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人： | 章社杲,孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种半导体器件，包括第一层、第二层和通孔，其中，第一层包括多个第一层金属焊盘；第二层形成在第一层的顶部上，该第二层包括多个第二层金属焊盘；并且通孔将第一层金属焊盘连接至第二层金属焊盘。第一层金属焊盘和第二层金属焊盘之间的表面区域重叠低于规定的阈值。本发明涉及用于多层金属布局的金属焊盘偏移。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 多层 金属 布局 偏移 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：第一层，包括第一金属焊盘；第二层，形成于所述第一层的顶部上，所述第二层包括第二金属焊盘；以及第三层，形成在所述第二层的顶部上，所述第三层包括第三金属焊盘，其中，所述第三金属焊盘与所述第一金属焊盘对准，并且所述第三金属焊盘不与所述第二金属焊盘对准；第一通孔，将所述第一金属焊盘连接至所述第二金属焊盘；第二通孔，将所述第二金属焊盘连接至所述第三金属焊盘，其中，所述第二通孔与所述第一通孔对准；并且其中，所述第一金属焊盘和所述第二金属焊盘之间的表面区域重叠低于规定的阈值。
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