[发明专利]一种GaN复合薄膜及在Si衬底上形成GaN复合薄膜的方法有效
| 申请号： | 201410337785.1 | 申请日： | 2014-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN104141171A | 公开（公告）日： | 2014-11-12 |
| 发明（设计）人： | 赵丹梅;赵德刚;江德生;刘宗顺;陈平 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | C30B29/38 | 分类号： | C30B29/38;C30B25/16;C30B25/22 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 宋焰琴 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种在Si衬底上形成GaN复合薄膜的方法，包括：在Si衬底(10)上形成缓冲层(11)；在缓冲层(11)上形成几个原子厚度的SixNy非晶层(12)；在未被SixNy非晶层覆盖的缓冲层(11)上形成GaN层(18)，使GaN在缓冲层(11)的小岛上成核生长，形成GaN复合薄膜；以及由此得到的一种在Si衬底上形成的GaN复合薄膜。本发明的在Si衬底上形成GaN复合薄膜的方法可以实现无裂纹、高质量的生长，从而得到高电阻、低位错的GaN复合薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 gan 复合 薄膜 si 衬底 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种在Si衬底上形成的GaN复合薄膜，包括：‑在Si衬底(10)上形成的缓冲层(11)；‑在缓冲层(11)上形成的GaN外延层(18)。
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