[发明专利]FinFET中的鳍间隔件保护的源极和漏极区

摘要

本发明提供了一种集成电路器件，包括半导体衬底、延伸到半导体衬底内的绝缘区以及伸出绝缘区之上的半导体鳍。绝缘区包括第一部分和第二部分，第一部分和第二部分位于半导体鳍的相对两侧上。该集成电路器件还包括位于半导体鳍的顶面和侧壁上的栅极堆叠件以及连接至半导体鳍的末端的半导体区。半导体区包括由第一半导体材料形成的第一半导体区和第一半导体区下面的第二半导体区，其中，第一半导体区包括具有小平面的顶面。第二半导体区具有比第一半导体区更高的锗浓度。鳍间隔件位于第二半导体区的侧壁上，其中，鳍间隔件与绝缘区的一部分重叠。本发明还涉及FinFET中的鳍间隔件保护的源极和漏极区。

主权项

一种集成电路器件，包括：半导体衬底；绝缘区，延伸到所述半导体衬底内；半导体鳍，伸出于所述绝缘区之上，其中，所述绝缘区包括第一部分和第二部分，所述第一部分和所述第二部分位于所述半导体鳍的相对两侧上；栅极堆叠件，位于所述半导体鳍的顶面和侧壁上；半导体区，连接至所述半导体鳍的末端，其中，所述半导体区包括：第一半导体区，由第一半导体材料形成，其中，所述第一半导体区包括具有小平面的顶面；以及第二半导体区，位于所述第一半导体区下面，其中，所述第二半导体区具有比所述第一半导体区更高的锗浓度；以及鳍间隔件，位于所述第二半导体区的侧壁上，其中，所述鳍间隔件与所述绝缘区的一部分重叠，所述鳍间隔件的顶端高于所述第一半导体区和所述第二半导体区之间的界面。