[发明专利]半导体结构的形成方法、晶体管及其形成方法有效
| 申请号： | 201410323378.5 | 申请日： | 2014-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN105448709B | 公开（公告）日： | 2018-12-21 |
| 发明（设计）人： | 禹国宾 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/324 | 分类号： | H01L21/324;H01L21/76;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 应战;骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体结构的形成方法，一种晶体管及其形成方法，所述半导体结构的形成方法包括：提供衬底；在所述衬底表面形成界面材料层；对所述界面材料层进行氮离子掺杂，在所述界面材料层的表面处形成掺杂层；对所述界面材料层进行毫秒级退火处理，所述毫秒级退火工艺适于激活固化所述氮离子，并且避免氮离子向衬底方向扩散。上述方法可以提高所述界面层与衬底之间的界面质量，以所述界面层作为晶体管的衬底与栅介质层之间的界面层，可以提高晶体管的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 形成 方法 晶体管 及其 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底；在所述衬底表面形成界面材料层；对所述界面材料层进行氮离子掺杂，在所述界面材料层的表面处形成掺杂层；对所述界面材料层进行毫秒级退火处理，所述毫秒级退火工艺适于激活固化所述氮离子，并且避免氮离子向衬底方向扩散；所述掺杂层的厚度为整个界面材料层厚度的1/4～1/2；在所述界面层表面形成栅介质材料层和位于所述栅介质材料层表面的栅极材料层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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