[发明专利]宽带隙半导体装置

摘要

本发明提供一种宽带隙半导体装置，其能够抑制栅极电极与源极电极之间的静电破坏，而不会增加芯片成本。本发明的宽带隙半导体装置具备第2源极层(n+源极层(4A))，其在p基极层(3A)的表层夹着场绝缘膜(11)形成，且与n+源极层(4)在同一工序中形成；第2栅极电极(栅极多晶硅(7A))，其至少形成于场绝缘膜(11)上，且与栅极多晶硅(7)为同一层；第3栅极电极(栅极电极(12))，其形成于一侧的第2源极层上，与第2栅极电极电连接；以及第2源极电极(源极电极(9A))，其形成于另一侧的第2源极层上。

主权项

一种宽带隙半导体装置，其特征在于，具备纵型宽带隙半导体MOSFET以及横型宽带隙半导体MOSFET，该纵型宽带隙半导体MOSFET具备：第2导电型的第1基极层，其形成于第1导电型的宽带隙半导体层的表层；第1导电型的第1源极层，其形成于所述第1基极层的表层；栅极绝缘膜，其形成于夹在所述第1源极层与所述宽带隙半导体层之间的所述第1基极层上；第1栅极电极，其形成于所述栅极绝缘膜上；层间绝缘膜，其形成为将所述第1栅极电极覆盖；第1源极电极，其形成为将所述层间绝缘膜、所述第1基极层以及所述第1源极层覆盖；以及漏极电极，其形成于所述宽带隙半导体层的下方，该横型宽带隙半导体MOSFET具备：第2基极层，其在所述宽带隙半导体层的表层与所述第1基极层在同一工序中形成；场绝缘膜，其形成于所述第2基极层上；第2源极层，其在所述第2基极层的表层夹着所述场绝缘膜形成，且与所述第1源极层在同一工序中形成；第2栅极电极，其至少形成于所述场绝缘膜上，且与所述第1栅极电极为同一层；第3栅极电极，其形成于一侧的所述第2源极层上，与所述第2栅极电极电连接；以及第2源极电极，其形成于另一侧的所述第2源极层上，同一层是指在同一工序中形成、且图案连续的层。