[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 201410311866.4 | 申请日： | 2014-07-02 |
| 公开（公告）号： | CN104282668A | 公开（公告）日： | 2015-01-14 |
| 发明（设计）人： | 长濑茂树;多田和夫 | 申请（专利权）人： | 株式会社捷太格特;株式会社电装 |
| 主分类号： | H01L25/00 | 分类号： | H01L25/00;H01L23/528 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 顾晋伟;董文国 |
| 地址： | 日本大阪*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 在半导体装置中，第一连接金属部件(31)、第二连接金属部件(32)、第三连接金属部件(34)和第四连接金属部件(35)中的每一个将对应的配线电连接至形成在第一和第二半导体元件(Tr1、Tr2)的下表面和上表面上的主电极中的对应的一个。第一连接金属部件(31)、第二连接金属部件(32)、第三连接金属部件(34)和第四连接金属部件(35)中的每一个的横截面面积大于配置于在俯视图中位于第一和第二半导体元件(Tr1、Tr2)的区域外的区域处的第五连接金属部件(37、38)的横截面面积。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其特征在于包括：具有第一配线(12A)的第一配线层(12)；形成在所述第一配线层(12)上的第一层间膜(13)；形成在所述第一层间膜(13)上并且具有第二配线(14A)的第二配线层(14)；设置在所述第一层间膜(13)内的第一半导体元件(Tr1)；形成在所述第二配线层(14)上的第二层间膜(15)；设置在所述第二层间膜(15)内并且配置为面对所述第一半导体元件(Tr1)的第二半导体元件(Tr2)；形成在所述第二层间膜(15)上并且具有第三配线(16A)的第三配线层(16)；将所述第一配线(12A)电连接至形成在所述第一半导体元件(Tr1)的下表面上的主电极的第一连接金属部件(31)；将所述第二配线(14A)电连接至形成在所述第一半导体元件(Tr1)的上表面上的主电极的第二连接金属部件(32)；将所述第二配线(14A)电连接至形成在所述第二半导体元件(Tr2)的下表面上的主电极的第三连接金属部件(34)；将所述第三配线(16A)电连接至形成在所述第二半导体元件(Tr2)的上表面上的主电极的第四连接金属部件(35)；以及配置于在俯视图中位于所述第一和第二半导体元件(Tr1、Tr2)的区域外的区域处的第五连接金属部件(37、38)，所述第五连接金属部件(37、38)将所述第一配线(12A)连接至所述第二配线(14A)或者将所述第二配线(14A)连接至所述第三配线(16A)，其中所述第一连接金属部件(31)、所述第二连接金属部件(32)、所述第三连接金属部件(34)和所述第四连接金属部件(35)中的每一个的横截面面积大于所述第五连接金属部件(37、38)的横截面面积。
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