[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 201410302978.3 | 申请日： | 2014-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN104900687A | 公开（公告）日： | 2015-09-09 |
| 发明（设计）人： | 内城竜生 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/08;H01L29/739;H01L29/78 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 张丽 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供耐受性高的半导体装置。实施方式的半导体装置具备：第1电极；第2电极；第1导电类型的第1半导体区域，设置于所述第1电极与所述第2电极之间；第2导电类型的第2半导体区域，设置于所述第1半导体区域与所述第2电极之间；第1导电类型的第3半导体区域，设置于所述第2半导体区域与所述第2电极之间，杂质浓度高于所述第1半导体区域，与所述第2电极相接；第3电极，隔着第1绝缘膜与所述第1半导体区域、所述第2半导体区域以及所述第3半导体区域相接；以及第2绝缘膜，与所述第3电极夹着所述第3半导体区域。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其特征在于，具备：第1电极；第2电极；第1导电类型的第1半导体区域，设置于所述第1电极与所述第2电极之间；第2导电类型的第2半导体区域，设置于所述第1半导体区域与所述第2电极之间；第1导电类型的第3半导体区域，设置于所述第2半导体区域与所述第2电极之间，杂质浓度高于所述第1半导体区域，与所述第2电极相接；第3电极，隔着第1绝缘膜与所述第1半导体区域、所述第2半导体区域以及所述第3半导体区域相接；以及第2绝缘膜，与所述第3电极夹着所述第3半导体区域。
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