[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 201410302978.3 | 申请日： | 2014-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN104900687A | 公开（公告）日： | 2015-09-09 |
| 发明（设计）人： | 内城竜生 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/08;H01L29/739;H01L29/78 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 张丽 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
1.一种半导体装置，其特征在于，具备：
第1电极；
第2电极；
第1导电类型的第1半导体区域，设置于所述第1电极与所述第2电极之间；
第2导电类型的第2半导体区域，设置于所述第1半导体区域与所述第2电极之间；
第1导电类型的第3半导体区域，设置于所述第2半导体区域与所述第2电极之间，杂质浓度高于所述第1半导体区域，与所述第2电极相接；
第3电极，隔着第1绝缘膜与所述第1半导体区域、所述第2半导体区域以及所述第3半导体区域相接；以及
第2绝缘膜，与所述第3电极夹着所述第3半导体区域。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
所述第2绝缘膜与所述第2半导体区域相接。
3.根据权利要求1或者2所述的半导体装置，其特征在于，
所述第2绝缘膜与所述第1电极之间的距离比所述第3半导体区域与所述第1电极之间的距离长。
4.根据权利要求1或者2所述的半导体装置，其特征在于，
所述第2绝缘膜与所述第1电极之间的距离比所述第3半导体区域与所述第1电极之间的距离短。
5.根据权利要求1或者2所述的半导体装置，其特征在于，
所述第3半导体区域具有：
低浓度区域，设置于所述第2电极侧；以及
高浓度区域，设置于所述第1电极侧。
6.根据权利要求1或者2所述的半导体装置，其特征在于，
关于所述第3半导体区域的杂质浓度，所述第2电极侧比所述第1电极侧更低。
7.根据权利要求1或者2所述的半导体装置，其特征在于，
在夹着所述第3半导体区域的所述第3电极以及所述第2绝缘膜中，
关于所述第3电极与所述第2绝缘膜之间的距离，从所述第1电极朝向所述第2电极有分布。
8.根据权利要求1或者2所述的半导体装置，其特征在于，
在所述第3电极与所述第2绝缘膜之间还具备第3绝缘膜。
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