[发明专利]半导体集成电路器件

摘要

提供一种半导体集成电路器件，其在光电二极管阵列区域中具有像素区域，并且在每个像素区域中具有波导保持孔，波导保持孔具有在光电二极管之上的基本垂直的侧壁并且嵌入有到达孔底表面的基于氧化硅的侧壁绝缘膜和在孔的内侧上具有更高折射率的两个或更多基于氮化硅的绝缘膜。该结构使得可以防止尺寸迅速减小的成像器件诸如CMOS传感器的像素特性的恶化。

主权项

1.一种半导体集成电路器件，包括：(a)半导体衬底，具有第一主表面；(b)光电二极管阵列区域，被提供在所述半导体衬底的第一主表面侧上；(c)多个像素区域，以矩阵形式被提供在所述光电二极管阵列区域中；(d)层间绝缘膜，被提供在包括所述光电二极管阵列区域的半导体衬底的第一主表面之上；以及(e)多层布线，被提供在所述层间绝缘膜中，其中每个所述像素区域包括：(c1)光电二极管，被提供在所述半导体衬底的第一主表面的表面区域中；(c2)波导保持孔，被提供在所述光电二极管上方的层间绝缘膜中；(c3)基于氧化硅的侧壁绝缘膜，覆盖所述波导保持孔的侧表面并且到达其底表面；(c4)第一基于氮化硅的绝缘膜，覆盖所述基于氧化硅的侧壁绝缘膜的表面和所述波导保持孔的底表面；(c5)第二基于氮化硅的绝缘膜，在所述波导保持孔中覆盖所述第一基于氮化硅的绝缘膜的表面并具有比所述第一基于氮化硅的绝缘膜更高的折射率；以及(c6)第三基于氮化硅的绝缘膜，被提供在所述第二基于氮化硅的绝缘膜之上以便嵌入在所述波导保持孔中，并且具有比所述第二基于氮化硅的绝缘膜更高的折射率，其中所述层间绝缘膜和所述半导体衬底之间具有抗反射膜和波导，所述波导具有基本垂直的侧壁直至到达所述抗反射膜。