[发明专利]磁屏蔽、半导体器件和半导体封装有效
| 申请号： | 201410291292.9 | 申请日： | 2014-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN104253209B | 公开（公告）日： | 2018-07-31 |
| 发明（设计）人： | 铃木哲广 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;G11C11/16;B82Y25/00 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 李兰;孙志湧 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及磁屏蔽、半导体器件和半导体封装。提供一种提高了对外部磁场的屏蔽特性的磁屏蔽。磁屏蔽MS1具有面内磁化作为剩余磁化，并适于通过在磁场垂直方向上向磁屏蔽施加磁场以产生磁化方向上的垂直分量。 | ||
| 搜索关键词： | 屏蔽 半导体器件 半导体 封装 | ||
【主权项】：
1.一种具有面内方向上的磁化作为剩余磁化的磁屏蔽，包括：具有第一磁性层和非磁性层的层叠膜，所述第一磁性层具有面内磁各向异性，所述非磁性层相对于所述第一磁性层感应界面磁各向异性，其中所述磁屏蔽被构造成响应于在垂直方向上向其施加磁场来产生磁化方向上的垂直分量，所述垂直分量是垂直于所述磁屏蔽的表面的分量，所述垂直方向是垂直于所述磁屏蔽的表面的方向。
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