[发明专利]磁屏蔽、半导体器件和半导体封装

说明书

本发明涉及磁屏蔽、半导体器件和半导体封装。提供一种提高了对外部磁场的屏蔽特性的磁屏蔽。磁屏蔽MS1具有面内磁化作为剩余磁化，并适于通过在磁场垂直方向上向磁屏蔽施加磁场以产生磁化方向上的垂直分量。

相关申请的交叉引用

2013年6月25日提交的日本专利申请No.2013-132750，包括说明书、附图和摘要，通关引用整体并入本文中。

技术领域

本发明涉及磁屏蔽、半导体器件和半导体封装，更具体地，涉及一种包括磁阻存储器的半导体器件和在其中的半导体封装。

背景技术

当前，磁阻存储器(MRAM(磁阻随机存取存储器))日益发展。关于磁阻存储器的技术，例如，包括专利文献1至3中公开的技术。

专利文献1和2涉及关于磁阻存储器的技术，其中利用自旋注入来反转自由层的磁化方向。如上述专利文献任意一个所公开的，垂直各向异性应用于自由层。专利文献3公开了一种非易失性固态磁性存储器件，其具有磁屏蔽结构，用来屏蔽MRAM芯片免受外部散射磁场的影响。

相关技术文献

专利文献

[专利文献1]日本未审查专利申请公布(PCT申请翻译)No.2007-525847

[专利文献2]美国专利申请No.2005/0104101

[专利文献3]日本未审查专利公布No.2003-115578

发明内容

一些磁阻存储器被磁屏蔽覆盖，以抑制外部磁场对磁阻存储器的影响。然而，在这种磁屏蔽中，在其垂直方向上磁化的变化受到作用于磁屏蔽厚度方向上的反磁场的影响而中断，这使得很难实现垂直方向上相对外部磁场的充足的磁导率。在这种情况下，磁屏蔽几乎不能实现对垂直外部磁场的充分的屏蔽特性。

结合附图，在下面的详细描述中将澄清本发明的其它问题和新特征。

根据本发明的一个实施例，磁屏蔽具有面内磁化作为剩余磁化，并且将垂直磁各向异性赋予磁屏蔽。

在本发明的一个实施例中，磁屏蔽能够提高其对外部磁场的屏蔽特性。

附图说明

图1是示出本发明的一个实施例中的磁阻存储器和磁屏蔽的示例性截面图；

图2是用于说明磁屏蔽内磁化的变化的示例性截面图；

图3是示例性示出垂直外部磁场和通过外部磁场在磁屏蔽内产生的垂直磁化分量之间关系的曲线图；

图4是示出一个实施例中的磁屏蔽的一个示例的示例性截面图；

图5A和5B是示出图4中所示的磁屏蔽的改进例的示意性截面图；

图6A和图6B是示出一个实施例中的半导体器件的示例性截面图；

图7是示出一个实施例中的半导体封装的示例性截面图；

图8是示出图7中所示的半导体封装中的半导体芯片和磁屏蔽之间的位置关系的示例性平面图；和

图9是示出图7中所示的半导体封装的改进例的示例性截面图。

具体实施方式

在下文中，将参考附图描述本发明的优选实施例。只要有可能，将贯穿所有图使用相同的附图标记，以指示相同或相似的部分，并由此将在下文省略它们的描述。

图1是本发明的一个实施例中的磁阻存储器MM1和磁屏蔽MS1的示例性截面图。图1示例性示出了磁阻存储器MM1和磁屏蔽MS1之间的位置关系。