[发明专利]磁屏蔽、半导体器件和半导体封装

权利要求书

1.一种具有面内方向上的磁化作为剩余磁化的磁屏蔽，包括：

具有第一磁性层和非磁性层的层叠膜，所述第一磁性层具有面内磁各向异性，所述非磁性层相对于所述第一磁性层感应界面磁各向异性，

其中所述磁屏蔽被构造成响应于在垂直方向上向其施加磁场来产生磁化方向上的垂直分量，所述垂直分量是垂直于所述磁屏蔽的表面的分量，所述垂直方向是垂直于所述磁屏蔽的表面的方向。

2.根据权利要求1所述的磁屏蔽，其中4πM_s是在垂直方向上由外部磁场Hk_eff产生的垂直饱和磁化，并且满足下面的公式：5≦4πMs/Hk_eff≦20。

3.根据权利要求1所述的磁屏蔽，其中所述第一磁性层由CoFeB、CoFe、NiFe或NiFeCo形成，并且

其中所述非磁性层由MgO、Ta或Pt形成。

4.根据权利要求1所述的磁屏蔽，其中所述层叠膜包括彼此交替叠置的多个所述第一磁性层和多个所述非磁性层。

5.根据权利要求1所述的磁屏蔽，进一步包括：

第二磁性层，所述第二磁性层具有面内磁各向异性；和

中间层，所述中间层被提供在所述第二磁性层和所述层叠膜之间，所述中间层不相对所述第二磁性层感应界面磁各向异性。

6.根据权利要求5所述的磁屏蔽，其中所述第二磁性层由NiFe形成，并且所述中间层由Ta形成。

7.根据权利要求1所述的磁屏蔽，其中所述垂直分量是由晶体磁各向异性产生的。

8.根据权利要求1所述的磁屏蔽，其中所述垂直分量是由应变磁各向异性产生的。

9.根据权利要求1所述的磁屏蔽，其中所述磁屏蔽形成为平板状或薄膜状形状。

10.一种半导体器件，包括：

磁阻存储器，所述磁阻存储器包括彼此叠置的磁记录层、隧道势垒层和磁基准层；和

磁屏蔽，所述磁屏蔽被提供在所述磁阻存储器的上面或下面，

所述磁屏蔽具有面内方向上的磁化作为剩余磁化，所述磁屏蔽包括：

具有第一磁性层和非磁性层的层叠膜，所述第一磁性层具有面内磁各向异性，所述非磁性层相对于所述第一磁性层感应界面磁各向异性，

其中所述磁屏蔽被构造成响应于在垂直方向上向其施加磁场来产生磁化方向上的垂直分量，所述垂直分量是垂直于所述磁屏蔽的表面的分量，所述垂直方向是垂直于所述磁屏蔽的表面的方向。

11.根据权利要求10所述的半导体器件，其中所述磁记录层具有垂直磁各向异性。

12.根据权利要求10所述的半导体器件，其中所述磁屏蔽经由绝缘层被提供在所述磁阻存储器上面。

13.一种半导体封装，包括：

半导体芯片，所述半导体芯片具有磁阻存储器；和

磁屏蔽，所述磁屏蔽被提供在所述半导体芯片的上面或下面，

所述磁屏蔽具有面内方向上的磁化作为剩余磁化，所述磁屏蔽包括：

具有第一磁性层和非磁性层的层叠膜，所述第一磁性层具有面内磁各向异性，所述非磁性层相对于所述第一磁性层感应界面磁各向异性，

其中所述磁屏蔽被构造成响应于在垂直方向上向其施加磁场来产生磁化方向上的垂直分量，所述垂直分量是垂直于所述磁屏蔽的表面的分量，所述垂直方向是垂直于所述磁屏蔽的表面的方向。

14.根据权利要求13所述的半导体封装，其中所述磁阻存储器包括具有垂直磁各向异性的磁记录层。

15.根据权利要求13所述的半导体封装，其中所述磁屏蔽分别被提供在所述半导体芯片的上面和下面。