[发明专利]焊盘结构、其制作方法及半导体器件在审
| 申请号： | 201410283822.5 | 申请日： | 2014-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN105448870A | 公开（公告）日： | 2016-03-30 |
| 发明（设计）人： | 杨勇 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L21/48 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 吴贵明;张永明 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种焊盘结构、其制作方法及半导体器件。该焊盘结构包括金属扩散缓冲层、第一扩散阻挡层及焊垫；其中，金属扩散缓冲层覆于金属互连结构中金属区的表面上；第一扩散阻挡层覆于金属扩散缓冲层的表面上；焊垫覆于第一扩散阻挡层的表面上。应用该焊盘结构，当金属区中的金属元素扩散至该金属扩散缓冲层后，金属元素的扩散活性会大大下降，从而可以对金属区中金属元素的扩散起缓冲作用。在此基础上，通过在金属扩散缓冲层上方设置第一扩散阻挡层，就能够进一步阻止这些低活性的金属元素的扩散。这有利于充分阻止金属区中的金属元素扩散至焊垫中，从而促使半导体器件在后期的引线键合测试中具有较高的通过率。 | ||
| 搜索关键词： | 盘结 制作方法 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种焊盘结构，其特征在于，所述焊盘结构包括：金属扩散缓冲层，覆于金属互连结构中金属区的表面上；第一扩散阻挡层，覆于所述金属扩散缓冲层的表面上；焊垫，覆于所述第一扩散阻挡层的表面上。
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