[发明专利]金属氧化物半导体场效应晶体管射频开关器件的制备方法

摘要

本发明公开一种金属氧化物半导体场效应晶体管射频开关器件的制备方法，由GaAs衬底层、AlGaAs缓冲层、InGaAs导电沟道层、InGaP势垒层、GaAs帽层、InGaAs帽层自下而上依次设置形成金属氧化物半导体场效应晶体管；漏端和源端设置在InGaAs帽层的上方；位于顶部的GaAs帽层和InGaAs帽层内开设有栅槽，栅端嵌设在该栅槽内；栅介质Al2O3填充在栅槽内，并与InGaP势垒层接触。上述栅端接入一薄膜电阻后，作为射频开关器件的控制端；源端和漏端中的一个作为射频开关器件的发射端，另一个作为射频开关器件的接收端。本发明具有隔离度高、功率容量大、插入损耗低和易于实现的特点。

主权项

金属氧化物半导体场效应晶体管射频开关器件的制备方法，其特征是包括如下步骤：步骤一：在GaAs衬底层上依次外延生长AlGaAs缓冲层、InGaAs导电沟道层、InGaP势垒层、GaAs帽层和InGaAs帽层；步骤二：台面隔离；先匀胶光刻保护台面，之后分别采用腐蚀液腐蚀InGaAs帽层，GaAs帽层，InGaP势垒层和InGaAs导电沟道层，形成台面；步骤三：源漏金属欧姆接触；匀胶光刻后，采用电子束蒸发台蒸发源漏金属，并在N2气氛下，快速退火，形成源漏欧姆接触；步骤四：栅槽定义；生长SiO2作为栅槽腐蚀掩膜层；匀胶光刻后，利用CF4气体刻蚀SiO2，利用腐蚀液腐蚀InGaAs和GaAs帽层，形成栅槽；步骤五：淀积栅介质及栅金属；采用原子层淀积设备淀积Al2O3作为栅介质；光刻匀胶，电子束蒸发栅金属；步骤六：栅端接入薄膜电阻；匀胶光刻，溅射TaN作为栅端接入的薄膜电阻，在N2气氛下，快速退火；步骤七：将接有薄膜电阻的栅端作为射频开关器件的控制端；将源端和漏端中的一个作为射频开关器件的发射端，另一个作为射频开关器件的接收端。