[发明专利]制备半导体纳米材料的有机气相沉积装置及方法

摘要

本发明涉及半导体纳米材料领域，提供了一种制备半导体纳米材料的有机气相沉积装置及方法，包括：石英管，管式炉，以及气流控制设备，其中，所述管式炉包括炉腔，以及包裹在炉外壁的隔热材料层；所述石英管包括加热区和生长区，加热区位于所述管式炉内部，所述生长区位于管式炉加热区之外；所述石英管包括进气端，出气端，以及小孔通道区和引流通道区，载气引导所述石英管内高温升华的原料气体分子流动到所述石英管的生长区。本发明使得纳米材料的生长过程具有更强的调控作用，提高了纳米材料的制备效率，制备装置成本低廉，操作简单，无污染。

主权项

一种用于半导体纳米材料制备的石英管，其特征在于，所述石英管包括：加热区以及生长区；所述半导体纳米材料的制备原料放置于所述石英管的加热区内，所述制备原料在高温升华后，其升华的原料气体分子流动到所述生长区，生成纳米材料；所述石英管还包括小孔通道区域，所述小孔通道区域位于所述加热区，所述小孔通道区域包括多个小孔通道，所述升华的原料气体分子经过所述小孔通道，流动到所述石英管的生长区，所述小孔通道个数大于或等于1个。