[发明专利]采用低K值介电材料的管芯边缘密封有效
| 申请号： | 201410274241.5 | 申请日： | 2014-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN105336711B | 公开（公告）日： | 2019-03-15 |
| 发明（设计）人： | 王志杰;白志刚;牛继勇;叶德洪;张虎昌 | 申请（专利权）人： | 恩智浦美国有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/29 | 分类号： | H01L23/29;H01L23/31 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 申发振 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及采用低K值介电材料的管芯边缘密封。一种半导体晶片具有用于阻尼及抑制在划片期间生成的初生裂纹并且抑制湿气渗透到管芯的有源区之内的多级结构。该晶片包括由划片通道分离的管芯区阵列。管芯区包含有源区以及包围着有源区的第一环。第一环的一部分包含低K值介电材料。第二环包含金属与层间介电(ILD)材料的交替层的叠层。在环周围的伪金属区包含层叠的伪金属特征件并且包围着有源区。划线网格过程控制(SGPC)特征件的规则的或不规则的交错布局降低了在划片期间的机械应力。 | ||
| 搜索关键词： | 采用 值介电 材料 管芯 边缘 密封 | ||
【主权项】：
1.一种半导体晶片，包含由划片通道分离的管芯区阵列，其中所述半导体晶片进一步包含：所述管芯区中的有源区；在所述管芯区中并至少部分地包围所述有源区的第一环，其中所述第一环的至少一部分含有低K值介电材料；沿着第一划片通道的锯片切口区域的相对侧而交替地布置的多个划线网格过程控制SGPC特征件，SGPC特征件彼此交错并沿着锯片切口区域的相对侧对齐，以使锯片不同时经过多于一个所述SGPC特征件。
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