[发明专利]阵列基板及其制备方法、液晶显示装置在审
| 申请号： | 201410272714.8 | 申请日： | 2014-06-18 |
| 公开（公告）号： | CN104133313A | 公开（公告）日： | 2014-11-05 |
| 发明（设计）人： | 刘圣烈;宋泳锡;金熙哲;崔承镇 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/1333 | 分类号： | G02F1/1333;H01L21/77;H01L27/12 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 柴亮;张天舒 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种阵列基板及其制备方法、液晶显示装置，属于液晶显示技术领域，其可解决现有的ADS模式阵列基板制造工艺复杂、透过率低、驱动效果不好的问题。本发明的阵列基板制备方法包括：在基底上依次形成第一透明导电材料层、绝缘材料层、半导体材料层、光刻胶层，并通过构图工艺形成包括栅线、栅极、栅绝缘层、半导体层、第一透明电极的图形，该栅绝缘层不超出栅极和栅线上方；形成钝化层，并在钝化层中形成与半导体层相连的源极过孔和漏极过孔；依次形成第二透明导电材料层和源漏金属层，并通过构图工艺形成包括源极、漏极、第二透明电极的图形，其中源极、漏极包括层叠的第二透明导电材料层和源漏金属层。 | ||
| 搜索关键词： | 阵列 及其 制备 方法 液晶 显示装置 | ||
【主权项】：
一种阵列基板制备方法，其特征在于，包括：步骤1：在基底上依次形成第一透明导电材料层、绝缘材料层、半导体材料层、光刻胶层，并通过构图工艺形成包括栅线、栅极、栅绝缘层、半导体层、第一透明电极的图形；其中，所述栅绝缘层不超出所述栅极和栅线上方；步骤2：在所述基底上形成钝化层，并在所述钝化层中形成与所述半导体层相连的源极过孔和漏极过孔；步骤3：在所述基底上依次形成第二透明导电材料层和源漏金属层，并通过构图工艺形成包括源极、漏极、第二透明电极的图形，其中所述源极、漏极分别通过源极过孔、漏极过孔与所述半导体层电连接，且所述源极、漏极包括层叠的第二透明导电材料层和源漏金属层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司，未经京东方科技集团股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410272714.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
