[发明专利]阵列基板及其制备方法、液晶显示装置

权利要求书

1.一种阵列基板制备方法，其特征在于，包括：

步骤1：在基底上依次形成第一透明导电材料层、绝缘材料层、半导体材料层、光刻胶层，并通过构图工艺形成包括栅线、栅极、栅绝缘层、半导体层、第一透明电极的图形；其中，所述栅绝缘层不超出所述栅极和栅线上方；

步骤2：在所述基底上形成钝化层，并在所述钝化层中形成与所述半导体层相连的源极过孔和漏极过孔；

步骤3：在所述基底上依次形成第二透明导电材料层和源漏金属层，并通过构图工艺形成包括源极、漏极、第二透明电极的图形，其中所述源极、漏极分别通过源极过孔、漏极过孔与所述半导体层电连接，且所述源极、漏极包括层叠的第二透明导电材料层和源漏金属层。

2.根据权利要求1所述的阵列基板制备方法，其特征在于，所述步骤1具体包括：

步骤11、在基底上依次形成第一透明导电材料层、绝缘材料层、半导体材料层、光刻胶层；

步骤12、对所述光刻胶层阶梯曝光并显影，使栅极位置保留第一厚度的光刻胶层，栅线位置保留第二厚度的光刻胶层，第一透明电极位置保留第三厚度的光刻胶层，其余位置无光刻胶层，其中第一厚度大于第二厚度，第二厚度大于第三厚度；

步骤13、除去无光刻胶区域的所述半导体材料层、绝缘材料层、第一透明导电材料层；

步骤14、除去第三厚度的光刻胶层，使第一透明电极位置的所述半导体材料层暴露；

步骤15、除去第一透明电极位置的所述半导体材料层、绝缘材料层，形成第一透明电极的图形；

步骤16、除去厚度等于栅线位置剩余光刻胶层厚度的光刻胶层，使栅线位置的所述半导体层暴露；

步骤17、除去栅线位置的所述半导体材料层，形成栅线的图形；

步骤18、除去剩余的光刻胶层，形成栅极、栅绝缘层、半导体层的图形。

3.根据权利要求1所述的阵列基板制备方法，其特征在于，所述步骤3具体包括：

步骤31、在所述基底上依次形成第二透明导电材料层、源漏金属层、光刻胶层；

步骤32、对所述光刻胶层阶梯曝光并显影，使源极、漏极位置保留第四厚度的光刻胶层，第二透明电极位置保留第五厚度的光刻胶层，其余位置无光刻胶层，其中第四厚度大于第五厚度；

步骤33、除去无光刻胶区域的所述第二透明导电材料层和源漏金属层；

步骤34、除去第五厚度的光刻胶层，使第二透明电极位置的所述源漏金属层暴露；

步骤35、除去第二透明电极位置的所述源漏金属层，形成第二透明电极的图形；

步骤36、除去剩余的光刻胶层，形成源极、漏极的图形。

4.根据权利要求1所述的阵列基板制备方法，其特征在于，

所述半导体层由金属氧化物半导体材料制成。

5.根据权利要求1至4中任意一项所述的阵列基板制备方法，其特征在于，

所述第一透明电极为公共电极；

所述第二透明电极为像素电极，并与所述漏极中的第二透明导电材料层连为一体。

6.根据权利要求1至4中任意一项所述的阵列基板制备方法，其特征在于，

所述第一透明电极为像素电极，所述第二透明电极为公共电极；

且所述步骤2还包括：在钝化层中形成与所述第一透明电极相连的过孔，所述漏极通过所述过孔与所述第一透明电极电连接。

7.一种阵列基板，其包括栅极、栅线、栅绝缘层、半导体层、第一透明电极、第二透明电极、源极、漏极、钝化层；其特征在于，

所述钝化层覆盖所述栅线、栅极、栅绝缘层、半导体层、第一透明电极；

所述第二透明电极位于所述钝化层上方；

所述源极、漏极位于所述钝化层上方，分别通过所述钝化层中的源极过孔、漏极过孔与所述半导体层电连接；

所述栅极、栅线包括第一透明导电材料层，所述第一透明导电材料层与所述第一透明电极同层；

所述栅绝缘层不超出所述栅极和栅线上方；

所述源极、漏极包括第二透明导电材料层和设在第二透明导电材料层上的源漏金属层，其中，所述第二透明导电材料层与所述第二透明电极同层。

8.根据权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，

所述半导体层由金属氧化物半导体制成。