[发明专利]阵列基板及其制备方法、液晶显示装置

说明书

技术领域

本发明属于液晶显示技术领域，具体涉及一种阵列基板及其制备方法、液晶显示装置。

背景技术

高级超维场转换模式(ADS模式)的液晶显示装置具有视角宽、透过率高、清晰度高等诸多优点，故成为液晶显示装置的一种重要模式。

如图1所示，在ADS模式的阵列基板中，板状的第一透明电极111、薄膜晶体管的栅极21/栅线22均设在基底9上，栅绝缘层31覆盖第一透明电极111、栅极21、栅线22等，栅极21上方设有半导体层41(半导体层41加上欧姆接触层、过渡层等即构成薄膜晶体管的有源区)，钝化层5、平坦化层6依次覆盖半导体层41和栅绝缘层31，平坦化层6上设有数据线Data和第二透明电极121，数据线Data、第二透明电极121分别与薄膜晶体管的源极71、漏极72电连接，且第二透明电极121为狭缝电极，位于第一透明电极111上方。当然，应当理解，虽然以上是以第二透明电极121为像素电极，第一透明电极111为公共电极的情况为例；但若第一透明电极111为像素电极(即其与漏极72电连接)，第二透明电极121为公共电极，也是可行的。

如图1所示，在现有的ADS模式的阵列基板中，栅极21/栅线22、半导体层41、第一透明电极111、源极71/漏极72、第二透明电极121需要分别在不同的构图工艺中制造，即为制造这些结构至少需要进行6次光刻，因此其制备工艺复杂。

同时，栅绝缘层31覆盖了整个基底9，即栅绝缘层31在第一透明电极111和第二透明电极121间也有分布，而该位置的栅绝缘层31一方面增大了两电极间的距离，降低了电场强度和电容，影响了驱动效果；另一方面，该栅绝缘层31也会影响透光，降低阵列基板的透过率。

发明内容

本发明所要解决的技术问题包括，针对现有的ADS模式阵列基板制造工艺复杂、驱动效果不好、透过率低的问题，提供一种制造工艺简单、驱动效果好、透过率高的阵列基板及其制备方法、液晶显示装置。

解决本发明技术问题所采用的技术方案是一种阵列基板制备方法，其包括：

步骤1：在基底上依次形成第一透明导电材料层、绝缘材料层、半导体材料层、光刻胶层，并通过构图工艺形成包括栅线、栅极、栅绝缘层、半导体层、第一透明电极的图形；其中，所述栅绝缘层不超出所述栅极和栅线上方；

步骤2：在所述基底上形成钝化层，并在所述钝化层中形成与所述半导体层相连的源极过孔和漏极过孔；

步骤3：在所述基底上依次形成第二透明导电材料层和源漏金属层，并通过构图工艺形成包括源极、漏极、第二透明电极的图形，其中所述源极、漏极分别通过源极过孔、漏极过孔与所述半导体层电连接，且所述源极、漏极包括层叠的第二透明导电材料层和源漏金属层。

优选的是，所述步骤1具体包括：

步骤11、在基底上依次形成第一透明导电材料层、绝缘材料层、半导体材料层、光刻胶层；

步骤12、对所述光刻胶层阶梯曝光并显影，使栅极位置保留第一厚度的光刻胶层，栅线位置保留第二厚度的光刻胶层，第一透明电极位置保留第三厚度的光刻胶层，其余位置无光刻胶层，其中第一厚度大于第二厚度，第二厚度大于第三厚度；

步骤13、除去无光刻胶区域的所述半导体材料层、绝缘材料层、第一透明导电材料层；

步骤14、除去第三厚度的光刻胶层，使第一透明电极位置的所述半导体材料层暴露；

步骤15、除去第一透明电极位置的所述半导体材料层、绝缘材料层，形成第一透明电极的图形；

步骤16、除去厚度等于栅线位置剩余光刻胶层厚度的光刻胶层，使栅线位置的所述半导体层暴露；

步骤17、除去栅线位置的所述半导体材料层，形成栅线的图形；

步骤18、除去剩余的光刻胶层，形成栅极、栅绝缘层、半导体层的图形。

优选的是，所述步骤3具体包括：

步骤31、在所述基底上依次形成第二透明导电材料层、源漏金属层、光刻胶层；

步骤32、对所述光刻胶层阶梯曝光并显影，使源极、漏极位置保留第四厚度的光刻胶层，第二透明电极位置保留第五厚度的光刻胶层，其余位置无光刻胶层，其中第四厚度大于第五厚度；

步骤33、除去无光刻胶区域的所述第二透明导电材料层和源漏金属层；

步骤34、除去第五厚度的光刻胶层，使第二透明电极位置的所述源漏金属层暴露；

步骤35、除去第二透明电极位置的所述源漏金属层，形成第二透明电极的图形；

步骤36、除去剩余的光刻胶层，形成源极、漏极的图形。