[发明专利]用于制造半导体模块的方法有效
申请号: | 201410271708.0 | 申请日: | 2014-06-18 |
公开(公告)号: | CN104241151B | 公开(公告)日: | 2017-11-21 |
发明(设计)人: | R.巴耶雷尔;W.吕尔布克 | 申请(专利权)人: | 英飞凌科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司72001 | 代理人: | 张涛,胡莉莉 |
地址: | 德国瑙伊比*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明涉及用于制造半导体模块的方法。根据一个方面,提供具有金属化层(21)的电路载体(2)以及导电的导线(4)和接合装置。借助该接合装置(5)在该金属化部(21)与该导线(4)的第一片段(41、41`)之间制造接合连接。在该导线(4)上设定断开位置(45)以及该导线(4)的与该断开位置(45)有间距的第二片段(42)。在该第二片段(42)中对该导线(4)进行整形。在整形之前或之后在该断开位置(45)上断开该导线(4),如此使得由该导线(4)的一部分来构成该半导体模块的连接导体(49),其中该连接导体接合在该金属化部(21)上并在该断开位置(45)上具有自由端。 | ||
搜索关键词: | 用于 制造 半导体 模块 方法 | ||
【主权项】:
用于制造半导体模块的方法,具有以下的步骤:提供电路载体(2),该电路载体具有金属化层(21);提供导电的导线(4);提供接合装置(5);借助该接合装置(5)在该金属化层(21)与该导线(4)的第一片段(41)之间制造接合连接;设定该导线(4)的断开位置(45);设定该导线(4)的与该断开位置(45)有间距的第二片段(42);在该第二片段(42)中对该导线(4)进行整形;在所述整形之前或之后在该断开位置(45)上断开该导线(4),使得由该导线(4)的一部分来构成该半导体模块的连接导体(49),该连接导体被接合在该金属化层(21)上并在该断开位置(45)上具有自由端(44),其中该导线(4)在所述第二片段(42)中在第一方向(y)上在所述整形之前具有第一最小宽度(By1);以及在所述整形之后具有第二最小宽度(By2),该第二最小宽度比该第一最小宽度(By1)小该第一最小宽度(By1)的至少30%。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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