[发明专利]用于制造半导体模块的方法有效
申请号: | 201410271708.0 | 申请日: | 2014-06-18 |
公开(公告)号: | CN104241151B | 公开(公告)日: | 2017-11-21 |
发明(设计)人: | R.巴耶雷尔;W.吕尔布克 | 申请(专利权)人: | 英飞凌科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司72001 | 代理人: | 张涛,胡莉莉 |
地址: | 德国瑙伊比*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 制造 半导体 模块 方法 | ||
1.用于制造半导体模块的方法,具有以下的步骤:
提供电路载体(2),该电路载体具有金属化层(21);
提供导电的导线(4);
提供接合装置(5);
借助该接合装置(5)在该金属化层(21)与该导线(4)的第一片段(41)之间制造接合连接;
设定该导线(4)的断开位置(45);
设定该导线(4)的与该断开位置(45)有间距的第二片段(42);
在该第二片段(42)中对该导线(4)进行整形;
在所述整形之前或之后在该断开位置(45)上断开该导线(4),使得由该导线(4)的一部分来构成该半导体模块的连接导体(49),该连接导体被接合在该金属化层(21)上并在该断开位置(45)上具有自由端(44),
其中该导线(4)在所述第二片段(42)中在第一方向(y)上
在所述整形之前具有第一最小宽度(By1);以及
在所述整形之后具有第二最小宽度(By2),该第二最小宽度比该第一最小宽度(By1)小该第一最小宽度(By1)的至少30%。
2.根据权利要求1所述的方法,其中该第二片段(42)的第一位置(48)与该断开位置(45)相距至少与该第一最小宽度(By1)一样大的间距(Dz2),其中在所述整形之后该第二片段(42)在该第一位置(48)上具有该第二最小宽度(By2)。
3.根据前述权利要求之一所述的方法,其中该导线(4)在该第二片段(42)中
在所述整形之前在第一方向(y)上具有第一最小宽度(By1),并在第二方向(x)上具有第一最大宽度(Bx1);以及
在所述整形之后在该第二方向(x)上具有第二最大宽度(Bx2),该第二最大宽度比该第一最大宽度(Bx1)大该第一最小宽度(By1)的至少20%。
4.根据权利要求3所述的方法,其中该第二片段(42)的第二位置(47)与该断开位置(45)相距至少等于该第二最大宽度(Bx2)的间距(Dz1),其中在所述整形之后该第二片段(42)在该第二位置(47)上具有该第二最大宽度(Bx2)。
5.根据权利要求1至2之一所述的方法,还具有以下的步骤:
提供模块壳体(10);
把该第一片段(41)布置在该模块壳体(10)的内部;以及
把该自由端(44)布置在该模块壳体(10)的外部。
6.根据权利要求1至2之一所述的方法,还具有以下的步骤:
提供模块壳体(10);
把该第一片段(41)和该自由端(44)布置在该模块壳体(10)的内部。
7.根据权利要求1至2之一所述的方法,其中所提供的导线(4)在所述整形之前并在制造所述接合连接之前具有圆形、椭圆形、方形、矩形但非方形、六边形或八边形的横截面。
8.根据权利要求1至2之一所述的方法,其中该连接导体(49)在所述整形之后具有以下片段:该片段在其整个长度上具有凹凸的横截面。
9.根据权利要求8所述的方法,其中所述整个长度至少为在该断开位置(45)与该电路载体(2)之间间距(d49)的30%。
10.根据权利要求1至2之一所述的方法,其中所提供的导线(4)在所述整形之前并在制造所述接合连接之前垂直于其分布方向地具有至少0.6mm2的横截面面积。
11.根据权利要求1至2之一所述的方法,其中所述整形包括压力整形工艺。
12.根据权利要求1至2之一所述的方法,其中
在卷轴上来提供该导线(4);
该导线(4)的在所述断开之后还位于该卷轴上的部分具有另一第一片段(41`),该另一第一片段借助该接合装置(5)被接合在该金属化层(21)上。
13.根据权利要求1至2之一所述的方法,其中通过所述整形来构造根据DIN EN 60352-5的压入接触部,并且该方法另外包含有以下的步骤:
提供互连导体(8),该互连导体具有开孔(81);以及
通过把该压入接触部压入到该开孔(81)中而在该互连导体(8)与该连接导体(49)之间制造导电连接。
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