[发明专利]MRAM器件形成工艺中的对准方法有效
| 申请号： | 201410261096.7 | 申请日： | 2014-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN105336850B | 公开（公告）日： | 2018-04-10 |
| 发明（设计）人： | 湛兴龙;曾贤成 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/12 | 分类号： | H01L43/12;H01L23/544;H01L27/22 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司31100 | 代理人： | 张振军 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种MRAM器件形成工艺中的对准方法，包括提供半导体衬底，该半导体衬底包括并列的器件区域和对准区域，该器件区域包含至少一金属互连层，该金属互连层延伸至所述对准区域；对所述对准区域的半导体衬底进行刻蚀，形成具有凹凸形貌的对准图形；形成磁隧道结层，该磁隧道结层覆盖所述半导体衬底的器件区域和对准区域，所述对准区域的磁隧道结层具有与所述对准图形相适应的凹凸形貌；在所述磁隧道结层上形成掩膜层；利用所述对准区域的对准图形进行光刻对准，以对所述硬掩膜层进行图形化。本发明能够解决互连结构损伤造成的对准问题，有利于提高对准精度。 | ||
| 搜索关键词： | mram 器件 形成 工艺 中的 对准 方法 | ||
【主权项】：
一种MRAM器件形成工艺中的对准方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，该半导体衬底包括并列的器件区域和对准区域，该器件区域包含至少一金属互连层，该金属互连层延伸至所述对准区域，所述金属互连层上覆盖有保护层；对所述对准区域的半导体衬底和所述保护层进行刻蚀，形成具有凹凸形貌的对准图形；形成磁隧道结层，该磁隧道结层覆盖所述半导体衬底的器件区域和对准区域，所述对准区域的磁隧道结层具有与所述对准图形相适应的凹凸形貌；在所述磁隧道结层上形成硬掩膜层；利用所述对准区域的对准图形进行光刻对准，以对所述硬掩膜层进行图形化。
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