[发明专利]MRAM器件形成工艺中的对准方法有效
| 申请号： | 201410261096.7 | 申请日： | 2014-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN105336850B | 公开（公告）日： | 2018-04-10 |
| 发明（设计）人： | 湛兴龙;曾贤成 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/12 | 分类号： | H01L43/12;H01L23/544;H01L27/22 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司31100 | 代理人： | 张振军 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | mram 器件 形成 工艺 中的 对准 方法 | ||
1.一种MRAM器件形成工艺中的对准方法，其特征在于，包括：
提供半导体衬底，该半导体衬底包括并列的器件区域和对准区域，该器件区域包含至少一金属互连层，该金属互连层延伸至所述对准区域，所述金属互连层上覆盖有保护层；
对所述对准区域的半导体衬底和所述保护层进行刻蚀，形成具有凹凸形貌的对准图形；
形成磁隧道结层，该磁隧道结层覆盖所述半导体衬底的器件区域和对准区域，所述对准区域的磁隧道结层具有与所述对准图形相适应的凹凸形貌；
在所述磁隧道结层上形成硬掩膜层；
利用所述对准区域的对准图形进行光刻对准，以对所述硬掩膜层进行图形化。
2.根据权利要求1所述的对准方法，其特征在于，所述对准图形与所述金属互连层之间具有预设的对准关系。
3.根据权利要求1所述的对准方法，其特征在于，还包括：测量所述硬掩膜层与所述金属互连层之间的对准偏差，在下一次利用所述对准区域的对准图形进行光刻对准时，采用该对准偏差进行补偿。
4.根据权利要求1所述的对准方法，其特征在于，刻蚀形成所述对准图形时采用的光刻工艺为ArF光刻工艺。
5.根据权利要求1所述的对准方法，其特征在于，所述器件区域的金属互连层内形成有一个或多个金属互连结构，所述对准区域的金属互连层内不包含金属互连结构。
6.根据权利要求1所述的对准方法，其特征在于，还包括：以图形化后的硬掩膜层为掩膜，对所述磁隧道结层进行刻蚀，以形成一个或多个磁隧道结。
7.根据权利要求1所述的对准方法，其特征在于，所述保护层的材料为TiN。
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