[发明专利]制造具有增强的缺陷可修复性的集成电路的方法有效
| 申请号： | 201410258190.7 | 申请日： | 2014-06-11 |
| 公开（公告）号： | CN104914677B | 公开（公告）日： | 2018-03-09 |
| 发明（设计）人： | 卢彦丞;游信胜;陈政宏;严涛南 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;G03F1/24 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人： | 章社杲,孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供了用于超紫外线光刻(EUVL)工艺的方法的一个实施例，该方法包括将掩模装载到光刻系统。该掩模包括缺陷修复区，且该掩模限定了位于其上的集成电路(IC)图案。该方法也包括根据IC图案在照明模式中设置光刻系统的照明器，根据照明模式在光刻系统中配置光瞳滤波器，以及在照明模式中通过光刻系统对具有掩模和光瞳滤波器的目标实施光刻曝光工艺。本发明也提供了制造具有增强的缺陷可修复性的集成电路的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 具有 增强 缺陷 修复 集成电路 方法 | ||
【主权项】：
一种用于超紫外线光刻(EUVL)的方法，包括：将掩模装载到光刻系统，其中，形成所述掩模包括：形成反射区；形成不透明区，包括吸收层；形成缺陷修复区，位于所述反射区中的缺陷上方，其中，所述缺陷修复区包括位于所述缺陷上方的吸收材料；以及在形成所述缺陷修复区之后，形成吸收层缺少(ALA)区，所述吸收层缺少区位于所述不透明区中，其中，所述吸收层缺少区在所述不透明区中通过去除所述缺陷修复区附近的所述吸收层的一部分形成；根据照明模式在所述光刻系统中配置光瞳滤波器；以及在所述照明模式中通过所述光刻系统对具有所述掩模和所述光瞳滤波器的目标实施光刻曝光工艺，其中，所述光瞳滤波器阻挡了从所述掩模反射的一定量的反射光，从而曝光所述目标。
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