[发明专利]制造具有增强的缺陷可修复性的集成电路的方法

权利要求书

1.一种用于超紫外线光刻(EUVL)的方法，包括：

将掩模装载到光刻系统，其中，形成所述掩模包括：

形成反射区；

形成不透明区，包括吸收层；

形成缺陷修复区，位于所述反射区中的缺陷上方，其中，所述缺陷修复区包括位于所述缺陷上方的吸收材料；以及

在形成所述缺陷修复区之后，形成吸收层缺少(ALA)区，所述吸收层缺少区位于所述不透明区中，其中，所述吸收层缺少区在所述不透明区中通过去除所述缺陷修复区附近的所述吸收层的一部分形成；

根据照明模式在所述光刻系统中配置光瞳滤波器；以及

在所述照明模式中通过所述光刻系统对具有所述掩模和所述光瞳滤波器的目标实施光刻曝光工艺，

其中，所述光瞳滤波器阻挡了从所述掩模反射的一定量的反射光，从而曝光所述目标。

2.根据权利要求1所述的用于超紫外线光刻的方法，其中，所述掩模包括：

反射多层(ML)，设置在掩模衬底上；

吸收层，设置在所述反射多层上，并且根据集成电路IC图案图案化所述吸收层，其中，图案化的吸收层包括所述反射区和所述不透明区；以及

所述缺陷修复区。

3.根据权利要求1所述的用于超紫外线光刻的方法，其中，从所述吸收层缺少区到所述缺陷修复区的距离为所述缺陷修复区的宽度，所述宽度为20nm。

4.根据权利要求1所述的用于超紫外线光刻的方法，其中，设置照明器包括设定多个可切换的反射镜以实现具有沿轴线的偶极图案的照明模式。

5.根据权利要求4所述的用于超紫外线光刻的方法，其中，将所述光瞳滤波器配置为具有开口，所述开口具有沿所述轴线的第一宽度。

6.根据权利要求5所述的用于超紫外线光刻的方法，其中，所述第一宽度大于所述偶极图案的直径，但是所述第一宽度小于所述照明模式的直径的50％。

7.根据权利要求1所述的用于超紫外线光刻的方法，其中，设定照明器包括设定多个可切换的反射镜以实现具有类星体图案的照明模式。

8.根据权利要求7所述的用于超紫外线光刻的方法，其中，将所述光瞳滤波器配置为具有两个彼此平行的开口，所述开口具有第二宽度。

9.根据权利要求8所述的用于超紫外线光刻的方法，其中，所述第二宽度大于所述类星体图案的直径，但是所述第二宽度小于所述照明模式的直径的25％。

10.根据权利要求1所述的用于超紫外线光刻的方法，其中，设定照明器包括设定多个可切换的反射镜以实现具有圆盘状图案的照明模式。

11.根据权利要求10所述的用于超紫外线光刻的方法，其中，将所述光瞳滤波器配置为具有开口，所述开口具有第三宽度。

12.根据权利要求11所述的用于超紫外线光刻的方法，其中，所述第三宽度大于所述圆盘状图案的直径，但是所述第三宽度小于所述照明模式的直径的50％。

13.一种用于超紫外线光刻(EUVL)工艺的方法，包括：

将掩模装载到光刻系统，所述掩模包括反射区和不透明区，所述反射区包含缺陷，所述不透明区包括吸收层，其中，吸收材料形成在反射区中的所述缺陷上方，并且在形成所述吸收材料之后将在所述不透明区的所述吸收层的一部分被去除；

根据照明模式在所述光刻系统中配置光瞳滤波器；以及

在所述照明模式中通过所述光刻系统对具有所述掩模和所述光瞳滤波器的目标实施光刻曝光工艺，

其中，所述光瞳滤波器阻挡了从所述掩模反射的一定量的反射光，从而曝光所述目标。

14.根据权利要求13所述的用于超紫外线光刻工艺的方法，其中，根据所述照明模式的偶极照明图案将所述光瞳滤波器配置为具有开口，其中，所述开口的宽度大于所述偶极照明图案的直径，但是所述开口的宽度小于所述照明模式的直径的50％。

15.根据权利要求13所述的用于超紫外线光刻工艺的方法，其中，根据所述照明模式的类星体照明图案将所述光瞳滤波器配置为具有彼此平行的两个开口，其中，所述开口的宽度大于所述类星体照明图案的直径，但是所述开口的宽度小于所述照明模式的直径的25％。