[发明专利]制造具有增强的缺陷可修复性的集成电路的方法

说明书

相关申请的交叉引用

本发明与2014年3月12日提交的标题为“远紫外光刻工艺和掩模(An Extreme Ultraviolet Lithography Process and Mask)”的第14/206,516号专利申请相关，其全部内容结合于此作为参考。

技术领域

本发明总体涉及半导体技术领域，更具体地，涉及制造具有增强的缺陷可修复性的集成电路的方法。

背景技术

半导体集成电路(IC)工业经历了快速的发展。IC材料和设计中的技术进步产生出了一代又一代IC，其中每代IC都具有比前一代更小更复杂的电路。在IC发展期间，功能密度(即，单位芯片面积的互连器件的数量)普遍增大，而几何尺寸(即，使用制造工艺可以产生的最小组件(或线))减小。这种按比例缩小工艺通常通过增加生产效率以及降低相关成本提供益处。这样的按比例缩小也增加了IC处理和制造的复杂性。为了实现这些进步，需要对IC处理和制造进行类似发展。例如，对实施较高分辨率的光刻工艺的需求的增加。用于解决这种需求的一种光刻技术是超紫外线光刻(EUVL)。其他技术包括X射线光刻、离子束投影光刻、电子束投影光刻和多电子束无掩模光刻。

EUVL采用扫描仪，该扫描仪使用在超紫外线(EUV)区中的波长为约1nm至100nm的光。除了EUV扫描仪使用反射光学组件(例如，反射镜)而光学扫描仪使用折射光学组件(例如，透镜)之外，类似于一些光学扫描仪，一些EUV扫描仪提供的4X缩小的投影印刷。EUV扫描仪在形成在反射掩模上的吸收层(“EUV”掩模吸收层)上提供期望的图案。在EUVL中使用的掩模出现了新的挑战。例如，在EUVL掩模中使用的多层(ML)结构以及在EUV掩模的衬底的表面上的微观不平度(例如，由缺陷引起)可以使随后沉积在其上的膜变形。当入射光从变形区反射时，其可以经历相对于从通常形成的区域反射的光的相位差。有时缺陷引起的相位差接近180°，称作相位缺陷。相位缺陷可能影响印刷保真度，并导致衬底上的严重的图案失真。期望提供一种有效并可行的方法以减少和/或减轻印刷性能的相位缺陷。

发明内容

为了解决现有技术中的问题，办发明提供了一种用于超紫外线光刻(EUVL)的方法，包括：将掩模装载到光刻系统，其中，所述掩模包括：反射区；不透明区；缺陷修复区，位于所述反射区中的缺陷上方；以及吸收层缺少(ALA)区，位于所述不透明区中；根据照明模式在所述光刻系统中配置光瞳滤波器；以及在所述照明模式中通过所述光刻系统对具有所述掩模和所述光瞳滤波器的目标实施光刻曝光工艺，其中，所述光瞳滤波器阻挡了从所述掩模反射的一定量的反射光，从而曝光所述目标。

在上述方法中，其中，所述掩模包括：反射多层(ML)，设置在掩模衬底上；吸收层，设置在所述反射ML上，并且根据IC图案图案化所述吸收层，其中，图案化的吸收层包括所述反射区和所述不透明区；以及所述缺陷修复区。

在上述方法中，其中，所述掩模包括：反射多层(ML)，设置在掩模衬底上；吸收层，设置在所述反射ML上，并且根据IC图案图案化所述吸收层，其中，图案化的吸收层包括所述反射区和所述不透明区；以及所述缺陷修复区；通过以下步骤形成所述缺陷修复区：在所述反射区中的所述缺陷之上沉积所述吸收层；以及去除所述缺陷区附近的所述吸收层的一部分以在所述不透明区中形成所述ALA区。

在上述方法中，其中，所述掩模包括：反射多层(ML)，设置在掩模衬底上；吸收层，设置在所述反射ML上，并且根据IC图案图案化所述吸收层，其中，图案化的吸收层包括所述反射区和所述不透明区；以及所述缺陷修复区；通过以下步骤形成所述缺陷修复区：在所述反射区中的所述缺陷之上沉积所述吸收层；以及去除所述缺陷区附近的所述吸收层的一部分以在所述不透明区中形成所述ALA区；从所述ALA区到所述缺陷修复区的距离为所述缺陷修复区的宽度，所述宽度为约20nm。

在上述方法中，其中，设置照明器包括设定多个可切换的反射镜以实现具有沿轴线的偶极图案的照明模式。

在上述方法中，其中，设置照明器包括设定多个可切换的反射镜以实现具有沿轴线的偶极图案的照明模式；将所述光瞳滤波器配置为具有开口，所述开口具有沿所述轴线的第一宽度。

在上述方法中，其中，设置照明器包括设定多个可切换的反射镜以实现具有沿轴线的偶极图案的照明模式；将所述光瞳滤波器配置为具有开口，所述开口具有沿所述轴线的第一宽度；所述第一宽度大于所述偶极图案的直径，但是所述第一宽度小于所述照明模式的直径的约50％。