[发明专利]半导体芯片失效分析的方法有效
| 申请号： | 201410253203.1 | 申请日： | 2014-06-09 |
| 公开（公告）号： | CN104037106B | 公开（公告）日： | 2017-03-29 |
| 发明（设计）人： | 陈强 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人： | 王宏婧 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体芯片失效分析的方法，用于对半导体芯片上的若干半导体结构进行分析，包括提供待分析半导体芯片，所述半导体芯片中包括多个半导体结构；利用不同的分析方法分别对所述多个半导体结构进行失效分析。本发明的分析方法能够对同一半导体芯片上的不同的三明治结构采用不同的分析方法进行失效分析。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 芯片 失效 分析 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体芯片失效分析的方法，用于对半导体芯片上的若干半导体结构进行分析，其特征在于，包括：提供待分析半导体芯片，所述半导体芯片中包括多个半导体结构；利用不同的分析方法分别对不同的所述半导体结构进行失效分析；其中，所述半导体芯片中包括第一半导体结构、第二半导体结构；将第一半导体结构上方的半导体材料层去除，露出该第一半导体结构；将所述第一半导体结构的缺陷上方的材料层去除，露出该第一半导体结构的缺陷；采用聚焦离子束以及化学刻蚀的方法对所述缺陷进行失效分析；采用透射电子显微镜的方法对所述第二半导体结构进行失效分析。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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